公开(公告)号：CN104137266B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201380010965.2

申请日：2013-12-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中康太郎 ,  内田正雄 ,  庭山雅彦 ,  楠本修

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明的碳化硅半导体装置，具备：碳化硅半导体层；栅极绝缘层，其配置在碳化硅半导体层上，且包含硅氧化膜；栅极电极，其配置在栅极绝缘层上；碳迁移层，其位于碳化硅半导体层与硅氧化膜之间，且碳原子浓度相对于碳化硅半导体层中的碳原子浓度为10％以上且90％以下，在碳迁移层中与氮原子浓度成为最大的位置相比更靠近硅氧化膜侧的区域，氮原子浓度的积分值相对于碳原子浓度的积分值的比率为0.11以上。

公开(公告)号：CN104137266A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201380010965.2

申请日：2013-12-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中康太郎 ,  内田正雄 ,  庭山雅彦 ,  楠本修

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明的碳化硅半导体装置，具备：碳化硅半导体层；栅极绝缘层，其配置在碳化硅半导体层上，且包含硅氧化膜；栅极电极，其配置在栅极绝缘层上；碳迁移层，其位于碳化硅半导体层与硅氧化膜之间，且碳原子浓度相对于碳化硅半导体层中的碳原子浓度为10％以上且90％以下，在碳迁移层中与氮原子浓度成为最大的位置相比更靠近硅氧化膜侧的区域，氮原子浓度的积分值相对于碳原子浓度的积分值的比率为0.11以上。

公开(公告)号：CN102473726B

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201180003332.X

申请日：2011-05-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中康太郎 ,  堀隆 ,  安达和广

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7838 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明提供一种MIS型半导体装置，其在半导体体区与栅绝缘膜之间具有半导体极性与半导体体区相反的沟道层，使该半导体装置的Vfb与该半导体装置的截止侧的极性的栅额定电压Vgcc-同等或在该值以下，由此将半导体体区表面附近被诱导的载流子电荷密度在该半导体装置的动作保证范围内抑制为指定量以下。

公开(公告)号：CN103180959B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201180051610.9

申请日：2011-10-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田正雄 ,  田中康太郎

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/046 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其制造方法。从基板(101)的主面的法线方向看，半导体元件(100)包括单位单元区域(100ul)及位于单位单元区域与半导体元件的端部之间的末端区域(100f)，末端区域(100f)在第1碳化硅半导体层(102)具有配置为与漂移区域(102d)相接的第2导电型的环区域(103f)，环区域包括：与第1碳化硅半导体层的表面相接的高浓度环区域(103af)、及以比高浓度环区域低的浓度包含第2导电型的杂质且在底面与第1碳化硅半导体层相接的低浓度环区域(103bf)，高浓度环区域(103af)的侧面与漂移区域(102d)相接，从半导体基板主面的法线方向看，高浓度环区域与低浓度环区域具有相同的轮廓。

公开(公告)号：CN103890953A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280050068.X

申请日：2012-11-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田正雄 ,  堀川信之 ,  田中康太郎 ,  清泽努

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/105 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7828

Abstract: 在半导体元件(100)中，第2导电型的体区域(103)包括与第1碳化硅半导体层(102)的表面相连的第1体区域(103a)、和与第2导电型的体区域(103)的底面相连的第2体区域(103b)。第1体区域的杂质浓度是第2体区域的杂质浓度的2倍以上。作为沟道层的第1导电型的第2碳化硅半导体层(106)在与半导体基板(101)垂直的方向上具有杂质浓度的分布，与栅极绝缘膜(107)相连的一侧的杂质浓度小于与第1体区域(103a)相连的一侧的杂质浓度。

公开(公告)号：CN102473726A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201180003332.X

申请日：2011-05-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中康太郎 ,  堀隆 ,  安达和广

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7838 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明提供一种MIS型半导体装置，其在半导体体区与栅绝缘膜之间具有半导体极性与半导体体区相反的沟道层，使该半导体装置的Vfb与该半导体装置的截止侧的极性的栅额定电压Vgcc-同等或在该值以下，由此将半导体体区表面附近被诱导的载流子电荷密度在该半导体装置的动作保证范围内抑制为指定量以下。

公开(公告)号：CN103180959A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201180051610.9

申请日：2011-10-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田正雄 ,  田中康太郎

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/046 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其制造方法。从基板(101)的主面的法线方向看，半导体元件(100)包括单位单元区域(100ul)及位于单位单元区域与半导体元件的端部之间的末端区域(100f)，末端区域(100f)在第1碳化硅半导体层(102)具有配置为与漂移区域(102d)相接的第2导电型的环区域(103f)，环区域包括：与第1碳化硅半导体层的表面相接的高浓度环区域(103af)、及以比高浓度环区域低的浓度包含第2导电型的杂质且在底面与第1碳化硅半导体层相接的低浓度环区域(103bf)，高浓度环区域(103af)的侧面与漂移区域(102d)相接，从半导体基板主面的法线方向看，高浓度环区域与低浓度环区域具有相同的轮廓。

公开(公告)号：CN102203925B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201080003062.8

申请日：2010-07-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中康太郎 ,  庭山雅彦 ,  内田正雄

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供一种半导体元件的制造方法。本发明的半导体元件的制造方法包括：使用第一注入掩模层(30)向半导体层(2)注入杂质来形成体区域(6)的工序；使用第一注入掩模层(30)和第二注入掩模层(31)来注入杂质，从而在体区域(6)内形成接触区域(7)的工序；形成第三注入掩模层(32)之后，选择性地除去第二注入掩模层(31)的工序；在第一注入掩模层(30)的侧面形成侧壁(34)的工序；和通过注入杂质，在体区域(6)内形成源极区域(8)的工序。

公开(公告)号：CN102203925A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201080003062.8

申请日：2010-07-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中康太郎 ,  庭山雅彦 ,  内田正雄

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/0465 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供一种半导体元件的制造方法。本发明的半导体元件的制造方法包括：使用第一注入掩模层(30)向半导体层(2)注入杂质来形成体区域(6)的工序；使用第一注入掩模层(30)和第二注入掩模层(31)来注入杂质，从而在体区域(6)内形成接触区域(7)的工序；形成第三注入掩模层(32)之后，选择性地除去第二注入掩模层(31)的工序；在第一注入掩模层(30)的侧面形成侧壁(34)的工序；和通过注入杂质，在体区域(6)内形成源极区域(8)的工序。