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公开(公告)号:CN1855728A
公开(公告)日:2006-11-01
申请号:CN200610075761.9
申请日:2006-04-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03M1/38
Abstract: 根据本发明的逐次逼近型A/D转换器包括:采样保持电路;基准电压产生电路;比较器,用于比较由基准电压产生电路产生的基准电压和留存于采样保持电路中的输入模拟信号的值;控制电路,用于逐次地控制基准电压产生电路,以便基于比较器输出的值的每一位,使基准电压值逼近留存于采样保持电路中的输入模拟信号的值;用于输出与比较器的输出电压相对应的输出值的缓冲电路;用于将与比较器输出值的每一位相对应的缓冲电路输出值留存为数字值的锁存电路;并且提供有缓冲控制电路,其用于在采样阶段阻断向缓冲电路供应电源。
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公开(公告)号:CN1855728B
公开(公告)日:2010-05-26
申请号:CN200610075761.9
申请日:2006-04-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03M1/38
Abstract: 根据本发明的逐次逼近型A/D转换器包括:采样保持电路;基准电压产生电路;比较器,用于比较由基准电压产生电路产生的基准电压和留存于采样保持电路中的输入模拟信号的值;控制电路,用于逐次地控制基准电压产生电路,以便基于比较器输出的值的每一位,使基准电压值逼近留存于采样保持电路中的输入模拟信号的值;用于输出与比较器的输出电压相对应的输出值的缓冲电路;用于将与比较器输出值的每一位相对应的缓冲电路输出值留存为数字值的锁存电路;并且提供有缓冲控制电路,其用于在采样阶段阻断向缓冲电路供应电源。
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公开(公告)号:CN1770631A
公开(公告)日:2006-05-10
申请号:CN200510119394.3
申请日:2005-11-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K19/0185
CPC classification number: H03K3/356113 , H03K17/102
Abstract: 在构成电平移位电路的N沟道第1 MOS晶体管(TN-A)、第2MOS晶体管(TN-B)和P沟道第3MOS晶体管(TP-A)、第4MOS晶体管(TP-B)中,构成P沟道第5MOS晶体管(TP-C)和第6MOS晶体管(TP-D),使其对第3MOS晶体管(TP-A)、第4MOS晶体管(TP-B)构成电流镜电路。由此,可防止从VDDH到VSS的贯通电流,并能高速工作。
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