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发明公开
半导体集成电路装置无效转让

公开(公告)号：CN103890929A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201180074485.3

申请日：2011-10-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林幸太郎 , 西村英敏

IPC: H01L21/82

CPC classification number: H01L27/0928 , G06F17/5068 , H01L27/0207 , H01L27/11807

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路装置，其中，第二单元(CL2)与具有基准单元高度的N倍(N为2以上的整数)的单元高度的第一单元(CL1)在单元宽度方向上邻接。在第二单元(CL2)的供电用金属布线(101)之下形成由杂质扩散区域形成的扩散布线(102)。第一单元(CL1)具有以横跨金属布线(101)的单元宽度方向上的延长区域的方式与扩散布线(102)相对置形成的晶体管扩散区域(D_MP23)。扩散布线(102)在单元宽度方向上与单元边界(BL1)相间隔地配置。

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