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发明公开
半导体装置及其制造方法无效

公开(公告)号：CN101499476A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200910002581.1

申请日：2009-01-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高桥信义 , 松尾一郎

IPC: H01L27/105 , H01L21/8234 , H01L21/265

CPC classification number: H01L27/11568

Abstract: 本发明可恰当控制字线间或位线等的杂质分布图，能够实现可进一步微细化的半导体装置及其制造方法。该半导体装置具备：以条纹状形成于第一导电型半导体基板(11)，作为第二导电型杂质的扩散层的多条位线(14)；形成在半导体基板(11)上的多条位线(14)彼此之间的区域的多个栅极绝缘膜(12)；隔着各栅极绝缘膜(12)形成在半导体基板(11)上，沿着与多条位线(14)交叉的方向延伸的多条字线(16)；和形成在半导体基板(11)的多条字线(16)彼此之间的区域，作为第一导电型杂质的扩散层的多个位线分离扩散层(18)。各位线分离扩散层(18)含有抑制杂质扩散的扩散抑制物(18B)。

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