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发明公开
太阳能单电池的制造方法和太阳能单电池无效

公开(公告)号：CN110010720A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811589712.6

申请日：2018-12-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 益子庆一郎 , 村上洋平 , 平野浩一

IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/068

Abstract: 太阳能单电池(1)的制造方法包括：在光电转换部(20)的背面上形成p型表面(20bp)和n型表面(20bn)的工序；在p型表面和n型表面上形成基底层(13)和导电层(14)的工序；在导电层的与分离槽(70)对应的区域上形成抗蚀剂膜(71)的工序；将形成了抗蚀剂膜(71)的导电层(14)作为种子层，通过电解镀依次形成n侧导电层(45)和p侧导电层(55)、含锡的n侧Sn层(46)和p侧Sn层(56)的工序；在n侧Sn层(46)和p侧Sn层(56)上形成将n侧Sn层(46)和p侧Sn层(56)的表面合金化的n侧金属层(47)和p侧金属层(57)的工序；和分别对导电层和基底层进行蚀刻的工序。

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