公开(公告)号：CN104040809A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201380004402.2

申请日：2013-03-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田隆幸 ,  上田直人 ,  大森弘治 ,  本藤拓磨 ,  笠井辉明

IPC: H01S5/022

CPC classification number: H01S5/02461 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01S5/0226 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02492 ,  H01S5/028 ,  H01S5/2231 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047

Abstract: 本发明的半导体激光器装置具有：导电性的散热部件、导电性的第1粘合剂、和半导体激光器元件。第1粘合剂设于散热部件之上，半导体激光器元件设于第1粘合剂之上。第1粘合剂在半导体激光器元件的射出激光的发射器端面部之下到达散热部件的侧面上。由此，能进一步提升半导体激光器元件的散热性，并能效率良好地取出来自半导体激光器元件的激光。

公开(公告)号：CN101174599A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710142334.2

申请日：2007-08-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 加藤丰 ,  铃木宏明 ,  上田直人 ,  青仓勇 ,  吉田隆幸 ,  本藤拓磨

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，具有半导体元件(1)、配置成与半导体元件(1)的主面对置的导热体(91)、以及将所述半导体元件(1)和导热体(91)的一部分密封的密封树脂体(6)，并且导热体(91)的与半导体元件(1)对置的面的相反侧的面的一部分从密封树脂体(6)露出到外部；其中在所述导热体(91)的设置露出部的面的一部分，设置往衬底厚度方向贯通的开口部(11)。可从与半导体元件(1)的主面对置的开口部(11)注入树脂，所以能使质量稳定。

公开(公告)号：CN101174625A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710154253.4

申请日：2007-09-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田隆幸 ,  桑原公仁 ,  本藤拓磨 ,  福田敏行

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823871 ,  H01L24/10 ,  H01L29/7842 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件(20)，具有多个在该半导体芯片基板(30)内至少包含金属氧化物半导体(MOS)晶体管(36)的电路、以及包含该电路并在上部用保护该电路的保护膜(41)覆盖的电路模块，仅在该半导体器件(20)的电流能力及阈值电压不满足规定值的、需要高性能化的电路模块的上部，至少通过保护膜(41)形成多个凸点(23a、23b、23c)，该多个凸点(23a、23b、23c)能够对MOS晶体管(36)施加应力，使迁移率增加，实现高性能化。