公开(公告)号：CN100530655C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200510116453.1

申请日：2005-10-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高桥信义 ,  岩本知士 ,  野吕文彦 ,  荒井雅利

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/792 ,  Y10S438/954

Abstract: 本发明的半导体装置具有：存储部(100)，其形成在半导体基板(51)上，具有第1晶体管及绝缘分离该第1晶体管的第1STI区域(52)，该第1晶体管具有在半导体基板(51)与存储部电极(58)之间可积累电荷的ONO膜(56)；和CMOS部(200)，其形成在半导体基板(51)上，具有第2晶体管及绝缘分离该第2晶体管的第2STI区域(53)，该第2晶体管具有CMOS部电极(59)及栅绝缘膜(57)。第1STI区域(52)的上面的高度设定为与第2STI区域(53)的上面的高度相等或者比其低。因此，可以防止存储部中的扩散层电阻的增大，还可进一步防止在硅化扩散层的情况下产生的硅化细线电阻的增大以及接触器的接合边界的减小。

公开(公告)号：CN1763960A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510116453.1

申请日：2005-10-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高桥信义 ,  岩本知士 ,  野吕文彦 ,  荒井雅利

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/792 ,  Y10S438/954

Abstract: 本发明的半导体装置具有：存储部(100)，其形成在半导体基板(51)上，具有第1晶体管及绝缘分离该第1晶体管的第1STI区域(52)，该第1晶体管具有在半导体基板(51)与存储部电极(58)之间可积累电荷的ONO膜(56)；和CMOS部(200)，其形成在半导体基板(51)上，具有第2晶体管及绝缘分离该第2晶体管的第2STI区域(53)，该第2晶体管具有CMOS部电极(59)及栅绝缘膜(57)。第1STI区域(52)的上面的高度设定为与第2STI区域(53)的上面的高度相等或者比其低。因此，可以防止存储部中的扩散层电阻的增大，还可进一步防止在硅化扩散层的情况下产生的硅化细线电阻的增大以及接触器的接合边界的减小。