公开(公告)号：CN103997318A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410081843.9

申请日：2011-01-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岛高广 ,  佐藤润二 ,  小林真史

IPC: H03K3/2885 ,  H03L7/08

Abstract: 本发明提供了注入锁定奇数分频器以及PLL电路。注入锁定奇数分频器包括：第1环形振荡器，环状地(2n+1)级级联了包含N沟道金属氧化物半导体型晶体管和P沟道金属氧化物半导体型晶体管的放大电路；第2环形振荡器，环状地(2n+1)级级联了包含N沟道金属氧化物半导体型晶体管和P沟道金属氧化物半导体型晶体管的放大电路；电流源，其由N沟道金属氧化物半导体型晶体管构成，分别与第1环形振荡器以及第2环形振荡器连接，分别驱动第1环形振荡器以及第2环形振荡器；以及差分信号注入电路，将注入信号输出到第1环形振荡器的P沟道金属氧化物半导体型晶体管的栅极，将注入信号的反相信号作为差分信号输出到第2环形振荡器的P沟道金属氧化物半导体型晶体管的栅极。

公开(公告)号：CN102356547A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201180001435.2

申请日：2011-01-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岛高广 ,  佐藤润二 ,  小林真史

IPC: H03K3/354 ,  H03K3/03 ,  H03K27/00 ,  H03L7/08 ,  H03L7/10

Abstract: 提供了能够减小寄生电容的影响，工作频率为宽带的注入锁定分频器以及PLL电路。注入锁定分频器(100)包括：环形振荡器(140)，环状地三级级联了由N沟道MOS型晶体管(111)和P沟道MOS型晶体管(112)构成的第1放大电路(141)、同样结构的第2放大电路(142)和第3放大电路(143)；N沟道MOS型晶体管(150)，其漏极连接到各级的N沟道MOS型晶体管(111、121、131)的源极；以及差分信号注入电路(160)，将注入信号(I1)注入到各级的P沟道MOS型晶体管(112、122、132)的栅极，并且将注入信号(I1)的反相信号作为差分信号注入到N沟道MOS型晶体管(150)的栅极。

公开(公告)号：CN102356547B

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201180001435.2

申请日：2011-01-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岛高广 ,  佐藤润二 ,  小林真史

IPC: H03K3/354 ,  H03K3/03 ,  H03K27/00 ,  H03L7/08 ,  H03L7/10

Abstract: 本发明提供了能够减小寄生电容的影响，工作频率为宽带的注入锁定分频器以及PLL电路。注入锁定分频器(100)包括：环形振荡器(140)，环状地三级级联了由N沟道MOS型晶体管(111)和P沟道MOS型晶体管(112)构成的第1放大电路(141)、同样结构的第2放大电路(142)和第3放大电路(143)；N沟道MOS型晶体管(150)，其漏极连接到各级的N沟道MOS型晶体管(111、121、131)的源极；以及差分信号注入电路(160)，将注入信号(I1)注入到各级的P沟道MOS型晶体管(112、122、132)的栅极，并且将注入信号(I1)的反相信号作为差分信号注入到N沟道MOS型晶体管(150)的栅极。