公开(公告)号：CN1574278A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410047613.7

申请日：2004-05-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山田雅留 ,  奥野泰利

IPC: H01L21/76 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L27/0207

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路装置，对于在周围电路形成部(31)中第一元件形成部(31a)、即应力变位区域(101)内所包含的活性区域(311)上形成的半导体元件不需进行电驱动，而只对在第二元件形成部(31b)、即应力稳定区域(102)内的半导体元件进行电驱动。这样，由于在周围电路形成部(31)的第二元件形成部(31b)与元件外侧STI区域(32)相隔一定距离，因而不易受到压缩应力的影响。因此，可以降低器件活性区域的边缘与其中心之间的应力差，防止由该应力差所导致的半导体元件的动作特性的变化。

公开(公告)号：CN100463134C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200410047613.7

申请日：2004-05-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山田雅留 ,  奥野泰利

IPC: H01L21/76 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L27/0207

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路装置，对于在周围电路形成部(31)中第一元件形成部(31a)、即应力变位区域(101)内所包含的活性区域(311)上形成的半导体元件不需进行电驱动，而只对在第二元件形成部(31b)、即应力稳定区域(102)内的半导体元件进行电驱动。这样，由于在周围电路形成部(31)的第二元件形成部(31b)与元件外侧STI区域(32)相隔一定距离，因而不易受到压缩应力的影响。因此，可以降低器件活性区域的边缘与其中心之间的应力差，防止由该应力差所导致的半导体元件的动作特性的变化。