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公开(公告)号：CN1812070A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510136150.6
申请日：2005-12-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明揭示一种探测卡及其制造方法以及对准方法。对于半导体晶片上形成的多个半导体集成电路元件的电气特性集中统一进行检查用的探测卡，采用具有形成与前述多个半导体集成电路元件的全部检查用电极同时接触用的多个凸点、并保持在刚性陶瓷环(14)上的带凸点的薄膜(13)的探测卡。在带凸点的薄膜(13)上附加由与接触用凸点同时形成的凸点构成的对准标记(19)。由于对准标记(19)可确保相对于接触用凸点的相对位置，因此以对准标记(19)为基准，能够用图像处理装置很容易测定接触用凸点的位置精度的变化，并根据该测定结果，能够计算出与检测对象晶片的检查用电极最佳的接触位置。
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公开(公告)号：CN1812070B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200510136150.6
申请日：2005-12-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明揭示一种探测卡及其制造方法以及对准方法。对于半导体晶片上形成的多个半导体集成电路元件的电气特性集中统一进行检查用的探测卡，采用具有形成与前述多个半导体集成电路元件的全部检查用电极同时接触用的多个凸点、并保持在刚性陶瓷环(14)上的带凸点的薄膜(13)的探测卡。在带凸点的薄膜(13)上附加由与接触用凸点同时形成的凸点构成的对准标记(19)。由于对准标记(19)可确保相对于接触用凸点的相对位置，因此以对准标记(19)为基准，能够用图像处理装置很容易测定接触用凸点的位置精度的变化，并根据该测定结果，能够计算出与检测对象晶片的检查用电极最佳的接触位置。
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