公开(公告)号：CN100593856C

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200610121913.4

申请日：2006-08-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山中未来 ,  平冈幸生 ,  石川修

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/761 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/0921 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/7322

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体器件，该半导体器件能够抑制因噪声引起的信号品质的劣化，并且能够减少因闩锁引起的电路误操作，能够确保良好的隔离度。该半导体器件包括：第1层，在半导体衬底内形成，电阻率比10Ωcm大、且比1kΩcm小；第2层，在半导体衬底内的表面侧且位于第1层上方形成；2个半导体元件或半导体电路，在第2层内或第2层之上形成；以及沟槽型绝缘区域，位于2个半导体元件之间，形成在半导体衬底内且从半导体衬底的表面到达上述第1层，将2个半导体元件或半导体电路电分离。

公开(公告)号：CN1925157A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610121913.4

申请日：2006-08-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山中未来 ,  平冈幸生 ,  石川修

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/761 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/0921 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/7322

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体器件，该半导体器件能够抑制因噪声引起的信号品质的劣化，并且能够减少因闩锁引起的电路误操作，能够确保良好的隔离度。该半导体器件包括：第1层，在半导体衬底内形成，电阻率比10Ωcm大、且比1kΩcm小；第2层，在半导体衬底内的表面侧且位于第1层上方形成；2个半导体元件或半导体电路，在第2层内或第2层之上形成；以及沟槽型绝缘区域，位于2个半导体元件之间，形成在半导体衬底内且从半导体衬底的表面到达上述第1层，将2个半导体元件或半导体电路电分离。