公开(公告)号：CN1778000A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200480010774.7

申请日：2004-04-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小野泰弘 ,  稻山伸悟 ,  宫崎让 ,  梶谷刚 ,  四桥聪史 ,  足立秀明

IPC: H01L35/20 ,  H01L35/34 ,  C22C30/00

CPC classification number: H01L35/18 ,  C22C30/00 ,  H01L35/20

Abstract: 本发明提供一种含有以式QR(L1－pZp)表示的半霍伊斯勒合金的热电转换材料。其中，Q为选自第五族元素中的至少一种元素，R为选自钴、铑、铱中的至少一种元素，L为选自锡和锗中的至少一种元素，Z为选自铟和锑中的至少一种元素，p为大于等于0小于0.5的数值。优选的半霍伊斯勒合金可以以NbCo(Sn1－pSbp)为例。本发明的热电转换材料为n型，可以形成与p型热电转换材料组合的热电转换元件。

公开(公告)号：CN100385695C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200480010774.7

申请日：2004-04-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小野泰弘 ,  稻山伸悟 ,  宫崎让 ,  梶谷刚 ,  四桥聪史 ,  足立秀明

IPC: H01L35/20 ,  H01L35/34 ,  C22C30/00

CPC classification number: H01L35/18 ,  C22C30/00 ,  H01L35/20

Abstract: 本发明提供一种含有以式QR(L1-pZp)表示的半霍伊斯勒合金的热电转换材料。其中，Q为选自第五族元素中的至少一种元素，R为选自钴、铑、铱中的至少一种元素，L为选自锡和锗中的至少一种元素，Z为选自铟和锑中的至少一种元素，p为大于等于0小于0.5的数值。优选的半霍伊斯勒合金可以以NbCo(Sn1-pSbp)为例。本发明的热电转换材料为n型，可以形成与p型热电转换材料组合的热电转换元件。