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公开(公告)号:CN1249918C
公开(公告)日:2006-04-05
申请号:CN02107778.9
申请日:2002-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03G3/3042 , H03F3/72 , H03F2203/7206
Abstract: 本发明的目的,在于:防止当射频可变增益放大器件中的信号旁路电路所设的射频开关元件处于截止状态时,隔离变动。一种射频可变增益放大器件(1A),其中的信号旁路电路(20)包括射频开关元件(22),其栅极和电压控制端(P3)相连;其漏极连接在放大电路(10)的输入端(P1)和输入侧电容器(11)之间;其源极通过旁路电路用电容器(21)与放大电路(10)的输出端相连。在射频开关元件(22)的漏极和源极之间设了和射频开关元件(22)串联的隔离变动防止用电阻器(23)。
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公开(公告)号:CN1356774A
公开(公告)日:2002-07-03
申请号:CN01140087.0
申请日:2001-11-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K17/687 , H01P1/15
CPC classification number: H01L27/0617
Abstract: 本发明提供一种即使与其他半导体电路一起集成到1个半导体衬底上时也可以降低高频信号的透过损失的高频开关电路装置。该高频开关电路装置在P型硅衬底100上具有作为开关元件的FET101。FET101具有N型势阱122、栅电极124、源极层125和漏极层126。与作为反向栅极的N型势阱层122连接的N型势阱接线129通过电感103与电压供给节点112连接。由电感103切断电压供给节点与N型势阱层间高频信号的通过,由扩展到N型势阱与P型衬底区域间的耗尽层切断纵向的高频信号的通过。另外,由沟槽分离绝缘层121切断横向的高频信号的通过。
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公开(公告)号:CN101447486B
公开(公告)日:2011-03-30
申请号:CN200810094845.6
申请日:2001-11-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/0617
Abstract: 本发明提供一种即使与其他半导体电路一起集成到1个半导体衬底上时也可以降低高频信号的透过损失的高频开关电路装置。该高频开关电路装置在P型硅衬底100上具有作为开关元件的FET101。FET101具有N型势阱122、栅电极124、源极层125和漏极层126。与作为反向栅极的N型势阱层122连接的N型势阱接线129通过电感103与电压供给节点112连接。由电感103切断电压供给节点与N型势阱层间高频信号的通过,由扩展到N型势阱与P型衬底区域间的耗尽层切断纵向的高频信号的通过。另外,由沟槽分离绝缘层121切断横向的高频信号的通过。
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公开(公告)号:CN101447486A
公开(公告)日:2009-06-03
申请号:CN200810094845.6
申请日:2001-11-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/0617
Abstract: 本发明提供一种即使与其他半导体电路一起集成到1个半导体衬底上时也可以降低高频信号的透过损失的高频开关电路装置。该高频开关电路装置在P型硅衬底100上具有作为开关元件的FET101。FET101具有N型势阱122、栅电极124、源极层125和漏极层126。与作为反向栅极的N型势阱层122连接的N型势阱接线129通过电感103与电压供给节点112连接。由电感103切断电压供给节点与N型势阱层间高频信号的通过,由扩展到N型势阱与P型衬底区域间的耗尽层切断纵向的高频信号的通过。另外,由沟槽分离绝缘层121切断横向的高频信号的通过。
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公开(公告)号:CN1377132A
公开(公告)日:2002-10-30
申请号:CN02107778.9
申请日:2002-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03G3/3042 , H03F3/72 , H03F2203/7206
Abstract: 本发明的目的,在于:防止当射频可变增益放大器件中的信号旁路电路所设的射频开关元件处于截止状态时,隔离变动。一种射频可变增益放大器件1A,其中的信号旁路电路20包括射频开关元件22,其栅极和电压控制端P3相连;其漏极连接在放大电路10的输入端P1和输入侧电容器11之间;其源极通过旁路电路用电容器21与放大电路10的输出端相连。在射频开关元件22的漏极和源极之间设了和射频开关元件22串联的隔离变动防止用电阻器23。
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