公开(公告)号：CN1638214A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410104664.9

申请日：2004-12-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山根启嗣 ,  久米雅博 ,  河田敏也 ,  木户口勋

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/00 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01S5/0425 ,  H01S5/0021 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/2231 ,  H01S2301/14

Abstract: 提供一种半导体激光装置，由下至上依次层叠有n型半导体基板、n型金属包层、活性层、p型第1金属包层、电流块层、p型第2金属包层以及p型接触层。在p型接触层上形成p侧欧姆电极，在n型半导体基板的背面上形成n侧欧姆电极。在电流块层上形成在光谐振器方向延伸的条纹、在p型接触层的光谐振器方向的中央部，形成与条纹正交的狭缝。这样，能够防止在安装工序中半导体激光装置内部的变形所引起的动作寿命下降和激光特性恶化，提供可靠性。