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发明公开
一种高熵磁相变合金材料、制备方法及应用审中-实审

公开(公告)号：CN115602398A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211325257.5

申请日：2022-10-27

Applicant: 杭州电子科技大学(CN)

Inventor： 张义坤 , 李领伟 , 王新华 , 严密

IPC: H01F1/01 , H01F1/03 , H01F41/02

Abstract: 本发明公开了一种高熵磁相变合金材料，化学通式为MnaFebNicCodGeeSifXz；其中X为Cu、Ti、Zr、Ag、Nb、Zn、La、Y、Ce、Pr、Nd、Ga、B、C中的一种或多种，a、b、c、d、e、f、z表示原子摩尔含量，a+b+c+d+e+f+z＝100，且15≤a≤25，8≤b≤18，15≤c≤30，5≤d≤20，8≤e≤18，15≤f≤25、0≤z≤6。本发明还公开了一种高熵磁相变合金材料的制备方法，制备的高熵磁相变合金材料在260K‑360K温度范围内，具有强的磁晶耦合特性。高熵相变合金材料在磁制冷、磁驱动、相变传感、热磁发电中应用。本发明采用上述高熵磁相变合金材料、制备方法及应用，能够解决现有的磁相变材料体系少、工作温区较窄、磁结构耦合不足的问题，具有制备方法简单的优点。

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