公开(公告)号：CN118145590A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202410072941.X

申请日：2024-01-18

Applicant: 杭州电子科技大学 ,  杭州电子科技大学上虞科学与工程研究院有限公司

Inventor： 赵晓宇 ,  任贺星 ,  王奥昉 ,  温嘉红 ,  高稔现 ,  张丰艺 ,  张坤 ,  王雅新 ,  孔哲 ,  张永军

IPC: B81C1/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明属于微纳结构合成制备领域，提供了一种用于电磁场增强的纳米阵列及其制备方法和应用。本发明通过PS小球自组装技术、反应离子刻蚀技术与磁控溅射技术相结合。制备出了新颖规则有序的纳米三角、纳米台以及纳米锥周期性阵列。该方法可以通过调整PS小球的尺寸、反应离子刻蚀的时间、镀膜厚度得到不同尺寸的纳米三角、纳米台以及纳米锥阵列。此制备方法简单易实现，所得纳米三角、纳米台以及纳米锥周阵列具有均匀、有序、可重复性强等优点，可以在SERS芯片、光电性能检测等领域大规模复制应用。