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公开(公告)号：CN104789219B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201510206364.X
申请日：2015-04-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种提高单层MoS2发光效率的分子修饰方法，具体通过有机分子修饰提高单层MoS2发光效率。本发明使用甲苯乙醇溶液，对微机械剥离制备的MoS2样品进行修饰得到分子修饰的单层MoS2样品。使用金相显微镜、拉曼光谱仪、原子力显微镜等对修饰样品的形貌、光学性质等进行了测试分析。本发明方法通过分子修饰单层MoS2，将单层MoS2发光效率实现提高31.59倍。此前有报道，在真空下通过复杂的退火过程，控制气体压强得到35倍的增强效果。这种真空退火法工艺复杂，增强效果不稳定。本发明方法相比较之，具有发光效率增强效果明显，实验操作简单，可行性强，制备周期短，成本低，在室温下操作，无毒无污染的优点。
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公开(公告)号：CN104789219A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510206364.X
申请日：2015-04-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种提高单层MoS2发光效率的分子修饰方法，具体通过有机分子修饰提高单层MoS2发光效率。本发明使用甲苯乙醇溶液，对微机械剥离制备的MoS2样品进行修饰得到分子修饰的单层MoS2样品。使用金相显微镜、拉曼光谱仪、原子力显微镜等对修饰样品的形貌、光学性质等进行了测试分析。本发明方法通过分子修饰单层MoS2，将单层MoS2发光效率实现提高31.59倍。此前有报道，在真空下通过复杂的退火过程，控制气体压强得到35倍的增强效果。这种真空退火法工艺复杂，增强效果不稳定。本发明方法相比较之，具有发光效率增强效果明显，实验操作简单，可行性强，制备周期短，成本低，在室温下操作，无毒无污染的优点。
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