-
公开(公告)号：CN110061727A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910232656.9
申请日：2019-03-26
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了单光子雪崩二极管探测器的快速淬灭/复位电路及其方法。目前有完成单光子雪崩光电二极管淬灭恢复功能的电路设计，但是其淬灭复位的时间还有提高的空间。本发明单光子雪崩二极管探测器的快速淬灭/复位电路，包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5和延迟保持电路。第一MOS管M1、第二MOS管M2及第四MOS管M4为NMOS管。第三MOS管M3及第五MOS管M5为PMOS管。本发明在淬灭过程中，雪崩二极管SPAD的阴极接至低电平，阳极接至高电平，进而达到雪崩二极管SPAD的阳极电压上升的同时阴极电压下降的效果，有效降低了淬灭时长。
-
公开(公告)号：CN109300992B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201810935425.X
申请日：2018-08-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L27/144
Abstract: 本发明公开了一种高探测效率的单光子雪崩二极管及其制作方法。传统单光子雪崩光电二极管的倍增区比较薄，进而导致探测灵敏度和光子探测效率普遍较低。本发明高探测效率的单光子雪崩二极管，包括同轴设置的p‑衬底层、p外延层、n+埋层、n型电荷层、反型深n阱、p型电荷层、p‑型半导体层、n阱层、浅沟槽隔离层、p型半导体层、n+型半导体层、p+型光吸收层、二氧化硅抗反射膜、氮化硅抗反射膜、阳极电极和阴极电极。本发明采用p+型光吸收层、p型半导体层以及p型电荷层组合形成P+/P/P型电荷层结构，有利于电流先横向扩展然后再流向雪崩倍增区，增大光谱响应，有效地提高其对光波长的吸收。
-
公开(公告)号：CN110061727B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201910232656.9
申请日：2019-03-26
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了单光子雪崩二极管探测器的快速淬灭/复位电路及其方法。目前有完成单光子雪崩光电二极管淬灭恢复功能的电路设计，但是其淬灭复位的时间还有提高的空间。本发明单光子雪崩二极管探测器的快速淬灭/复位电路，包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5和延迟保持电路。第一MOS管M1、第二MOS管M2及第四MOS管M4为NMOS管。第三MOS管M3及第五MOS管M5为PMOS管。本发明在淬灭过程中，雪崩二极管SPAD的阴极接至低电平，阳极接至高电平，进而达到雪崩二极管SPAD的阳极电压上升的同时阴极电压下降的效果，有效降低了淬灭时长。
-
公开(公告)号：CN109300992A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201810935425.X
申请日：2018-08-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L27/144
Abstract: 本发明公开了一种高探测效率的单光子雪崩二极管及其制作方法。传统单光子雪崩光电二极管的倍增区比较薄，进而导致探测灵敏度和光子探测效率普遍较低。本发明高探测效率的单光子雪崩二极管，包括同轴设置的p-衬底层、p外延层、n+埋层、n型电荷层、反型深n阱、p型电荷层、p-型半导体层、n阱层、浅沟槽隔离层、p型半导体层、n+型半导体层、p+型光吸收层、二氧化硅抗反射膜、氮化硅抗反射膜、阳极电极和阴极电极。本发明采用p+型光吸收层、p型半导体层以及p型电荷层组合形成P+/P/P型电荷层结构，有利于电流先横向扩展然后再流向雪崩倍增区，增大光谱响应，有效地提高其对光波长的吸收。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.018 seconds)
