Saved successfully
Save failed
Saved Successfully
Save Failed
公开(公告)号：CN114564840A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210201464.3
申请日：2022-03-03
Applicant: 杭州电子科技大学
Inventor： 丁颖 , 李源 , 王新茹 , 程鑫雨 , 廖烈鸿 , 张嘉颜
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种基于偏压调控的外尔半金属材料器件设计方法。本发明揭示了外尔半金属材料的光电性质与偏压的相关性，通过第一性原理计算出外尔半金属材料的能带图、态密度图以及光电流大小，间接说明了外尔半金属材料器件的光电性质与电子能带跃迁之间的关系，直观地显示出器件在不同偏压下光电流的大小，并为偏压调控手段在器件应用相关领域奠定了理论基础。
