公开(公告)号：CN104037489A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410116202.2

申请日：2014-03-26

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 项铁铭 ,  马晓洋 ,  王龙龙 ,  陈伟

IPC: H01Q1/22 ,  H01Q19/10 ,  H01Q15/14

Abstract: 本发明涉及一种基于人工磁导体结构的60GHz片上天线。本发明包括由下到上的硅衬底层、SiO2层、SiN层，其特征在于：SiO2层包含六层金属层，从下到上依次为M1～M6层，三角形单极子天线位于SiO2层的M6金属层，周期加载的基于CMOS工艺的正六边形人工磁导体结构位于SiO2层的M1金属层，三角形单极子天线采用50Ω共面波导馈电。本发明能够满足60GHz时对垂直入射波反射相位为零，并且反射相位带隙完全覆盖60GHz附近的约7GHz（57～64GHz）免许可频段，同时可以有效的提高片上天线的增益和辐射效率等。

公开(公告)号：CN203774448U

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201420140339.7

申请日：2014-03-26

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 项铁铭 ,  马晓洋 ,  王龙龙 ,  陈伟

IPC: H01Q1/22 ,  H01Q19/10 ,  H01Q15/14

Abstract: 本实用新型涉及一种基于人工磁导体结构的60GHz片上天线。本实用新型包括由下到上的硅衬底层、SiO2层、SiN层，其特征在于：SiO2层包含六层金属层，从下到上依次为M1～M6层，三角形单极子天线位于SiO2层的M6金属层，周期加载的基于CMOS工艺的正六边形人工磁导体结构位于SiO2层的M1金属层，三角形单极子天线采用50Ω共面波导馈电。本实用新型能够满足60GHz时对垂直入射波反射相位为零，并且反射相位带隙完全覆盖60GHz附近的约7GHz（57～64GHz）免许可频段，同时可以有效的提高片上天线的增益和辐射效率等。