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公开(公告)号：CN113512708B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202110754351.1
申请日：2021-07-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/20 , C23C14/58 , B22F1/054 , B22F1/18 , B01J23/52 , B01J23/72 , B01J35/02 , B01J37/34 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种中空纳米碗状结构的制备方法与纳米材料及应用，首先通过磁控溅射以及等离子刻蚀刻蚀得到了中空铜纳米碗结构，通过光照射在中空铜纳米碗上，能够加强吸附分子与金属表面之间的化学相互作用，包括化学键增强、表面杂化的共振增强、声子诱导电荷转移增强等，来加强催化性能。本发明中的复合纳米结构长在硅片上，通过照射在复合结构上的光，激发复合结构上局域表面等离激元，通过金属局域表面等离激元激发出的热电子、热空穴以及化学能，来加快纳米结构中电荷的转移，从而提高催化的效率，通过金和铜的表面等离激元效应，加强了CO2的催化。制备成本较低，制备工艺较简单，能够有效的被大规模复制应用。
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公开(公告)号：CN113512708A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110754351.1
申请日：2021-07-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/20 , C23C14/58 , B22F1/02 , B22F1/00 , B01J23/52 , B01J23/72 , B01J35/02 , B01J37/34 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种中空纳米碗状结构的制备方法与纳米材料及应用，首先通过磁控溅射以及等离子刻蚀刻蚀得到了中空铜纳米碗结构，通过光照射在中空铜纳米碗上，能够加强吸附分子与金属表面之间的化学相互作用，包括化学键增强、表面杂化的共振增强、声子诱导电荷转移增强等，来加强催化性能。本发明中的复合纳米结构长在硅片上，通过照射在复合结构上的光，激发复合结构上局域表面等离激元，通过金属局域表面等离激元激发出的热电子、热空穴以及化学能，来加快纳米结构中电荷的转移，从而提高催化的效率，通过金和铜的表面等离激元效应，加强了CO2的催化。制备成本较低，制备工艺较简单，能够有效的被大规模复制应用。
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公开(公告)号：CN114293166A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111671310.2
申请日：2021-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种表面散布纳米线条半球状结构的制备方法，本发明先利用自组装法在具有亲水性表面的Si衬底上自组装出密排的聚苯乙烯胶体球阵列，得到有序纳米图纹化结构模板；得到的有序纳米图纹化结构模板表面磁控溅射一些金膜，溅射时间为30s；金膜的直径为10～150纳米；将得到的镀有金膜的有序纳米图纹化结构模板进行倒置；最后将倒置得到的模板平行刻蚀；本发明设计并制备的纳米结构通过表面等离激元效应，增强了拉曼信号。制备成本较低，制备工艺较简单，能够有效的被大规模复制应用。
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