公开(公告)号：CN102323284B

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201110260339.1

申请日：2011-09-05

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 季振国 ,  梁晓勇 ,  席俊华

IPC: G01N23/223

Abstract: 本发明公开了一种X射线荧光光谱定量分析的装置及方法。现有技术数学校正法和实验校正法的理论计算和标样比较过程复杂。本发明从高能脉冲激光器发出的激光束通过反光镜后由激光导入窗口入射到真空腔体内的固体样品上，固体样品表面受热释放出成分与其相同的粒子。从固体样品上释放出来的粒子沉积在位于固体样品上方的石墨沉积台上形成薄膜。X光管发出的X射线照射到该薄膜上，薄膜发出的X射线荧光由位于其下方的X射线荧光探测器进行探测。本发明提出的方法通过薄膜沉积技术从源头上消除了产生基体效应的因素，简化了XRF定量分析中基体效应影响的消除过程，提高了检测效率和测试精度。

公开(公告)号：CN102323284A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201110260339.1

申请日：2011-09-05

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 季振国 ,  梁晓勇 ,  席俊华

IPC: G01N23/223

Abstract: 本发明公开了一种X射线荧光光谱定量分析的装置及方法。现有技术数学校正法和实验校正法的理论计算和标样比较过程复杂。本发明从高能脉冲激光器发出的激光束通过反光镜后由激光导入窗口入射到真空腔体内的固体样品上，固体样品表面受热释放出成分与其相同的粒子。从固体样品上释放出来的粒子沉积在位于固体样品上方的石墨沉积台上形成薄膜。X光管发出的X射线照射到该薄膜上，薄膜发出的X射线荧光由位于其下方的X射线荧光探测器进行探测。本发明提出的方法通过薄膜沉积技术从源头上消除了产生基体效应的因素，简化了XRF定量分析中基体效应影响的消除过程，提高了检测效率和测试精度。

公开(公告)号：CN202330315U

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201120330266.4

申请日：2011-09-05

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 季振国 ,  梁晓勇 ,  席俊华

IPC: G01N23/223

Abstract: 本实用新型公开了一种X射线荧光光谱定量分析的装置。现有技术数学校正法和实验校正法的理论计算和标样比较过程复杂。本实用新型包括高能脉冲激光器、激光反光镜、激光导入窗口、固体样品、固体样品台、固体样品磁力传动杆、传动杆法兰、磁铁传动滑块、磁力传递杆套筒、磁力传递杆法兰、石墨沉积台、石墨沉积台支撑杆、石墨沉积台法兰、X光管、X光管电缆、X荧光探测器、金属陶瓷电极、X荧光探测器支撑杆、真空机组和真空腔体。本实用新型通过薄膜沉积技术从源头上消除了产生基体效应的因素，简化了XRF定量分析中基体效应影响的消除过程，提高了检测效率和测试精度。