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公开(公告)号：CN104458003B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410681201.2
申请日：2014-11-24
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种探测红外辐射方法。红外辐射对应的光子能量较小，不易采用硅基光电探测器进行探测。本发明利用背景光源把电子激发到SrAl2O4:(Eu2+,Dy3+)材料禁带中的Dy3+陷阱能级，背景光源的发射波长为350～450nm。当有红外光照射时，处于陷阱能级中的电子可跃迁到导带，并进一步转移到Eu2+能级后辐射出绿光，引起可见光辐射强度的增强。通过测量SrAl2O4:(Eu2+,Dy3+)发出的绿光强度可以间接地测量出红外辐射的强度。本发明利用SrAl2O4:(Eu2+,Dy3+)材料为上转换材料，转换过程不涉及多光子过程，因此转换效率较高，只要在背景光源的照射下，即可有效探测到红外辐射。
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公开(公告)号：CN104458089A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410678277.X
申请日：2014-11-24
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01L5/00
Abstract: 本发明公开了一种测量冲击的探头。本发明的探头主体内活动设置冲击传导件，探头主体两端分别固定上盖帽和下盖帽，探头主体内设置有力致发光片、雪崩二极管和背景光二极管，冲击传导件的一端伸出上盖帽，另一端的球面与雪崩二极管接触，力致发光片为Al2SrO4(Dy,Eu)长余辉发光材料的片材，或石英基板上镀Al2SrO4(Dy,Eu)长余辉发光材料膜。当有冲击力传递到冲击传导件时，力致发光片因受冲击力而发光，发出的光由雪崩二极管接收放大，输出与冲击强度对应的电流信号。本发明的冲击力传感器具有结构简单、稳定性好、抗电磁干扰能力强、力-光转换部分无需电源，特别适合在电磁脉冲干扰严重的环境中使用。
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公开(公告)号：CN104458089B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410678277.X
申请日：2014-11-24
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01L5/00
Abstract: 本发明公开了一种测量冲击的探头。本发明的探头主体内活动设置冲击传导件，探头主体两端分别固定上盖帽和下盖帽，探头主体内设置有力致发光片、雪崩二极管和背景光二极管，冲击传导件的一端伸出上盖帽，另一端的球面与雪崩二极管接触，力致发光片为Al2SrO4(Dy,Eu)长余辉发光材料的片材，或石英基板上镀Al2SrO4(Dy,Eu)长余辉发光材料膜。当有冲击力传递到冲击传导件时，力致发光片因受冲击力而发光，发出的光由雪崩二极管接收放大，输出与冲击强度对应的电流信号。本发明的冲击力传感器具有结构简单、稳定性好、抗电磁干扰能力强、力?光转换部分无需电源，特别适合在电磁脉冲干扰严重的环境中使用。
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公开(公告)号：CN104458003A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410681201.2
申请日：2014-11-24
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种探测红外辐射方法。红外辐射对应的光子能量较小，不易采用硅基光电探测器进行探测。本发明方法利用背景光源把电子激发到SrAl2O4(Dy,Eu)材料禁带中的Dy3+陷阱能级，背景光源的发射波长为350nm～450nm。当有红外光照射时，处于这些陷阱能级中的电子可以跃迁到导带，并进一步转移到Eu2+能级后辐射出绿光，引起可见光辐射强度的增强。因此通过测量SrAl2O4(Dy,Eu)发出的绿光强度可以间接地测量出红外辐射的强度。本红外探测器利用SrAl2O4(Dy,Eu)材料为上转换材料，转换过程不涉及多光子过程，因此转换效率较高，只要在背景光源的照射下，即可有效探测到红外辐射。
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