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发明公开
一种基于双S型局部有源忆阻器的神经元电路审中-实审

公开(公告)号：CN117236255A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311206017.8

申请日：2023-09-18

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 李怡青 , 梁燕 , 吴夏萌 , 卢振洲

IPC: G06F30/36 , G06N3/06

Abstract: 本发明涉及一种基于双S型局部有源忆阻器的神经元电路，由第一S型局部有源忆阻器、第二S型局部有源忆阻器、一个直流电流源ID和一个正弦交流电流源iD组成，直流电流源ID的负极与地端相连。本发明通过将两个S型局部有源忆阻器进行并联构成神经元电路，施加适当的直流电流激励和正弦电流激励后，使得整体电路工作在负微分电导区域并产生复杂的神经形态行为，填补了现有技术使用双S型局部有源忆阻器构成神经元电路研究的空白，为双S型局部有源忆阻器在神经形态计算中的应用奠定了一定的基础。

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