公开(公告)号：CN113044805B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202110181359.3

申请日：2021-02-09

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王雅新 ,  徐震 ,  朱奥男 ,  赵晓宇 ,  张小龙 ,  张永军

IPC: B81B7/04 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种角度调控掩蔽制备有序纳米阵列结构的方法及其应用，涉及周期性纳米复合材料微加工技术领域，包括以下制备步骤：（1）清洗硅片；（2）制备六方密排聚苯乙烯微球阵列结构；（3）制备得到溅射衬底；（4）在溅射衬底表面进行磁控溅射，溅射方向为六方密排聚苯乙烯微球阵列结构的长对称轴方向和短对称轴方向，且与溅射衬底法线方向夹角为65‑75°；本发明通过角度调控掩蔽的方法制备得到了具有特定形状的有序纳米阵列结构，方法简单高效，对溅射材料化学性能无依赖，同时制备得到的有序纳米阵列结构SERS灵敏度高。

公开(公告)号：CN114249325A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202111580591.0

申请日：2021-12-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张永军 ,  徐震 ,  温嘉红 ,  赵晓宇 ,  张丰艺 ,  张鉴 ,  钟家松 ,  王雅新

IPC: C01B33/021 ,  B82Y40/00 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种制备硅纳米腔的方法，本发明采用自组装方法制备的高度有序的聚苯乙烯小球阵列，放入等离子体清洗机中刻蚀，利用磁控溅射在聚苯乙烯小球阵列表面溅射50～200nm的金属，取下聚苯乙烯小球阵列，将纳米孔阵列放入盛有NaOH溶液的烧杯中刻蚀；本发明与块状结构相比，硅纳米结构在性能上有其优越性，研究显示，硅在紫外光范围内同样具有局域表面等离子激元效应，能达到类似贵金属(金、银)纳米结构的增强效果，在光电器件的制备，表面增强拉曼检测等方面效果显著。本发明制备得到了一种图案化硅纳米结构。该制备方法的创新性在于可以对硅纳米结构的尺寸、间隙等方面进行很方便的控制。进而研究其光电效应。

公开(公告)号：CN113976904A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111218146.X

申请日：2021-10-20

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 赵晓宇 ,  徐震 ,  温嘉红 ,  王雅新 ,  张鉴 ,  钟家松 ,  孔哲 ,  张永军

IPC: B22F9/24 ,  B22F1/054 ,  C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/10 ,  C23C14/58 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种微腔内光激发化学诱导生长贵金属纳米粒子的方法，包括以下步骤：(1)利用磁控溅射技术，在清洗后的硅片表面溅射生成Au膜，得金衬底；(2)对衬底进行退火处理；(3)利用磁控溅射技术，在退火后的衬底上表面依次溅射生成Au膜、SiO2膜，按需重复前面步骤，在衬底上表面形成多层Au/SiO2复合层；(4)将待腐蚀样品沿着某一条线解理出来以获得光滑的截面；将截面朝下放入腐蚀液中腐蚀SiO2膜，腐蚀后用清水洗涤腐蚀面，得金纳米空腔结构；(5)将金纳米空腔结构放入硝酸银溶液中，滴加柠檬酸钠溶液，在红光照射下，诱导银纳米粒子的生长。本发明工艺步骤简单，可操作性强，得到的贵金属纳米粒子分散、稳定。

公开(公告)号：CN113044805A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202110181359.3

申请日：2021-02-09

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王雅新 ,  徐震 ,  朱奥男 ,  赵晓宇 ,  张小龙 ,  张永军

IPC: B81B7/04 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种角度调控掩蔽制备有序纳米阵列结构的方法及其应用，涉及周期性纳米复合材料微加工技术领域，包括以下制备步骤：（1）清洗硅片；（2）制备六方密排聚苯乙烯微球阵列结构；（3）制备得到溅射衬底；（4）在溅射衬底表面进行磁控溅射，溅射方向为六方密排聚苯乙烯微球阵列结构的长对称轴方向和短对称轴方向，且与溅射衬底法线方向夹角为65‑75°；本发明通过角度调控掩蔽的方法制备得到了具有特定形状的有序纳米阵列结构，方法简单高效，对溅射材料化学性能无依赖，同时制备得到的有序纳米阵列结构SERS灵敏度高。

公开(公告)号：CN113976904B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202111218146.X

申请日：2021-10-20

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 赵晓宇 ,  徐震 ,  温嘉红 ,  王雅新 ,  张鉴 ,  钟家松 ,  孔哲 ,  张永军

IPC: B22F9/24 ,  B22F1/054 ,  C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/10 ,  C23C14/58 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种微腔内光激发化学诱导生长贵金属纳米粒子的方法，包括以下步骤：(1)利用磁控溅射技术，在清洗后的硅片表面溅射生成Au膜，得金衬底；(2)对衬底进行退火处理；(3)利用磁控溅射技术，在退火后的衬底上表面依次溅射生成Au膜、SiO2膜，按需重复前面步骤，在衬底上表面形成多层Au/SiO2复合层；(4)将待腐蚀样品沿着某一条线解理出来以获得光滑的截面；将截面朝下放入腐蚀液中腐蚀SiO2膜，腐蚀后用清水洗涤腐蚀面，得金纳米空腔结构；(5)将金纳米空腔结构放入硝酸银溶液中，滴加柠檬酸钠溶液，在红光照射下，诱导银纳米粒子的生长。本发明工艺步骤简单，可操作性强，得到的贵金属纳米粒子分散、稳定。