公开(公告)号：CN110146590A

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201910448606.4

申请日：2019-05-28

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 翁凯伦 ,  王志强 ,  康洁 ,  胡先意

IPC: G01N27/90

Abstract: 本发明公开了基于阵列式传感器的涡流无损检测装置，包括正弦波发生器、功率放大器、阵列式组合探头、信号调理模块与数据采集模块；所述正弦波发生器输出端连接在功率放大器上，功率放大器的输出端连接在阵列式组合探头上，阵列式组合探头采集的模拟电压信号经过信号调理模块与数据采集模块处理后显示出检测结果；本发明使用大线圈配合传感器阵列检测涡流，增大检测面积，减少了检测时间，提高了系统可靠性，避免了漏检与盲视；利用阵列式传感器敏感轴两两正交排列设计实现对试件裂纹三维检测功能，能够获得裂纹更详细的信息。

公开(公告)号：CN112905991A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202110162322.6

申请日：2021-02-05

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 吴震东 ,  康洁

IPC: G06F21/46 ,  G06F40/30 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明公开一种基于自然语言语义相似性的语义密钥生成方法。本发明将使用具有一定弹性范围的文本作为密码，利用深度神经网络模型提取文本语义向量，并通过深度神经网络重编码语义向量生成密钥。在认证过程中，输入的自然语言文本文字不必与原文本一一匹配，只需语义与原文本相似，则可以产生相同的密钥完成认证过程。该过程用户无需对原文本一字不漏的记忆，只需对短文本语义和格式有基本记忆，即可通过自然语言描述该记忆，生成密钥，完成认证。本发明不存在生物特征模板认证隐私泄露的风险，同时用户无需高强度的记忆即可生成高安全性的密钥(>512bit长度的密钥)，提高了认证过程的安全性和灵活性。

公开(公告)号：CN112905991B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202110162322.6

申请日：2021-02-05

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 吴震东 ,  康洁

IPC: G06F21/46 ,  G06F40/30 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明公开一种基于自然语言语义相似性的语义密钥生成方法。本发明将使用具有一定弹性范围的文本作为密码，利用深度神经网络模型提取文本语义向量，并通过深度神经网络重编码语义向量生成密钥。在认证过程中，输入的自然语言文本文字不必与原文本一一匹配，只需语义与原文本相似，则可以产生相同的密钥完成认证过程。该过程用户无需对原文本一字不漏的记忆，只需对短文本语义和格式有基本记忆，即可通过自然语言描述该记忆，生成密钥，完成认证。本发明不存在生物特征模板认证隐私泄露的风险，同时用户无需高强度的记忆即可生成高安全性的密钥(>512bit长度的密钥)，提高了认证过程的安全性和灵活性。

公开(公告)号：CN110416405A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910718854.6

申请日：2019-08-05

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 康洁 ,  翁凯伦 ,  王志强 ,  窦爱玉 ,  胡先意

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明公开了一种具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜，涉及磁电子学技术领域，所述薄膜自底而上分别有衬底、缓冲层、复合自由层、非磁性隔离层、反铁磁钉扎层以及覆盖层，非磁性隔离层以及反铁磁钉扎层两层之间设置有合成反铁磁结构，合成反铁磁结构由CoFe1/Ru/CoFe2三层结构组成，合成反铁磁结构中的CoFe1厚度范围为1～3nm，CoFe2的厚度范围为1～3nm且反铁磁结构中的CoFe1与CoFe2两层厚度比为CoFe1：CoFe2＝1：1，本发明在具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜的基础上，对自旋阀薄膜的各层厚度比例进行进一步优化，得到的新的具有合成反铁磁结构的自旋阀薄膜相较于相同结构但未经优化的自旋阀薄膜磁的磁电阻率提高了2.2％以上，交换偏置场提高了500Oe以上。

公开(公告)号：CN110146737A

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201910448601.1

申请日：2019-05-28

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 李婉婉 ,  王志强 ,  唐兴浩 ,  康洁

IPC: G01R19/25 ,  G01R15/20

Abstract: 本发明公开了一种基于磁分流结构的大量程电流传感器，包括印制电路板、磁环、分流结构、四个运算放大器、多通道ADC、MCU和显示屏，印制电路板上设置有磁芯安装槽，磁环固定水平镶嵌在磁芯安装槽内，磁环上开设有磁环间隙，分流结构设置在磁环间隙内，分流结构包括非磁性材料制成的两个固定架，磁通引导器和四个个相同的磁传感器芯片，利用分流结构将磁环间隙处产生漏磁进行磁分流处理,使得放置在磁通引导器左右两侧的四个相同的磁传感器芯片检测的磁场大大降低，实现大电流检测的功能；本发明利用磁路分流代替传统的线圈式测量大电流的办法，减少线圈驱动的能耗，有效地解决了现有大电流传感器大功耗的问题。