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发明公开
一种通过巯基咪唑掺杂空穴传输层提升反式钙钛矿太阳能电池性能的方法审中-实审

公开(公告)号：CN118076197A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410111633.3

申请日：2024-01-26

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王宇 , 严文生 , 宋嘉兴 , 李在房

IPC: H10K71/30 , H10K71/00 , H10K30/40 , H10K30/50

Abstract: 本发明公开了一种通过巯基咪唑掺杂空穴传输层提升反式钙钛矿太阳能电池性能的方法，将巯基咪唑加入SAM前驱体溶液中，随后，在洁净的透明导电基底表面沉积薄膜，获得了2‑MeIM掺杂后的SAM薄膜，即Doped‑HTL，得益于掺杂后空穴传输层（Doped‑HTL）薄膜均匀性，亲水性及电导率的提升，使得沉积在Doped‑HTL表面的钙钛矿（PVK）薄膜质量及Doped‑HTL和PVK界面间的性质得到优化，最终使得基于Doped‑HTL制备的钙钛矿太阳能电池性能得到提升。

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