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公开(公告)号:CN115985367A
公开(公告)日:2023-04-18
申请号:CN202310089752.9
申请日:2023-01-16
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G11C13/00 , G11C16/04 , G06F30/367
Abstract: 本发明涉及一种具有联想记忆功能的忆阻仿生电路,包括第一忆阻器M1、第二忆阻器M2、第一PMOS晶体管T1、第二PMOS晶体管T2、第一NMOS晶体管T3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一压控开关S1、第一与非门NAND、第一运算放大器OP1、第一比较器COMP1,模拟食物信号输入端Vfood、模拟铃声信号输入端Vring、第一定值电压V1、第二定值电压V2、第一比较电压Vth。该电路通过模拟食物信号输入端Vfood和模拟铃声信号输入端Vring控制第一PMOS晶体管T1、第二PMOS晶体管T2和第一NMOS晶体管T3的开/关状态,来调节第一忆阻器M1和第二忆阻器M2的忆阻值,从而改变输出电压的值。
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公开(公告)号:CN116611373A
公开(公告)日:2023-08-18
申请号:CN202310444920.1
申请日:2023-04-23
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/33 , G06F7/523 , G06F117/12
Abstract: 本发明公开了一种三值忆阻乘法器电路,属于忆阻乘法器领域。本发明包括信号A输入模块U1、信号B输入模块U2、乘积输出模块U3、进位Carry输出模块U4。输入信号A连接所述信号A输入模块U1的信号输入端A,信号A输入模块U1的输出端与乘积输出模块U3进位Carry输出模块U4相连接。输入信号B与所述信号B输入模块U2的信号输入端B、乘积输出模块U3和进位Carry输出模块U4相连接,信号B输入模块U2的输出为连接乘积输出模块U3。本发明以文字运算和模运算为核心,大大简化了三值忆组乘法器的电路复杂性,填补了多值忆阻器功能电路的空白。
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公开(公告)号:CN116346104A
公开(公告)日:2023-06-27
申请号:CN202310307809.8
申请日:2023-03-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03K17/284 , H03K19/20
Abstract: 本发明公开了一种忆阻555定时器电路。电路中有4个输入端口(IN1、IN2、RESET、CONT),2个输出端口(Vout、DISCH),3个直流电源供电端(Vcc、V1、V2),1个接地端(GND),包括2个模拟电压比较器(C1和C2),11个忆阻器(M1、M2、M3、M4、M5,其中6个忆阻器构成3个忆阻或逻辑运算单元),4个反相器(N1、N2、N3、N4),4个nmos管(T1、T2、T3、T4)组成,2个pmos管(T5、T6)组成。忆阻器采用Biolek阈值型忆阻器模型,本发明利用该忆阻器优秀的双极性阈值特性和非易失性设计电路,以一个新型忆阻SR锁存器为核心,利用忆阻器的非易失性实现信号的存储。电路结构简单,功耗低,大幅减小整体电路的面积,而且减小了整体电路器件的数量。
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