一种多单元自解耦高隔离小型化MIMO天线阵列

    公开(公告)号:CN114243293A

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN202111561664.1

    申请日:2021-12-16

    Abstract: 本发明公开一种多单元自解耦高隔离小型化MIMO天线阵列,主要解决了小型化MIMO天线阵列中天线间的强耦合问题。本发明包括n个四单元自解耦高隔离小型化MIMO天线阵列;其中每个四单元自解耦高隔离小型化MIMO天线阵列包括介质基板、分别铺设在介质基板上下表面的金属层和系统地板;所述金属层包括结构相同且互不接触的4个天线单元。天线单元的天线辐射部分中的其中一臂部进行自身弯折。通过弯折实现了每两个天线单元之间的较高的端口隔离度(>20dB)。本发明为自解耦技术不额外添加任何结构,因此结构简单易于实现,并且相比其他解耦技术可实现隔离度更高的提升,更好地解决MIMO天线阵列当中的存在的强耦合问题。

    用于微流体的温度补偿微带传感器

    公开(公告)号:CN113959564A

    公开(公告)日:2022-01-21

    申请号:CN202111091675.8

    申请日:2021-09-17

    Abstract: 本发明公开了用于微流体的温度补偿微带传感器,包括介质基板,基板底面刻蚀裂环谐振器并设置微带部分,微带部分包括两条主微带线和两条分支微带线,两条分支微带线围成矩形状且两侧分别与同侧的主微带线形成T型结,主微带线的另一端为端口;基板顶层刻蚀两个互补裂环谐振器,每条分支微带线分别激励一个互补裂环谐振器;互补裂环谐振器设有液体注入口和液体流出口,液体注入口与液体流出口之间的介质基板上刻蚀有曲折槽;PDMS微流控通道基板置于两个互补裂环谐振器上方,PDMS微流控通道基板设有测试通道和参考通道,测试通道、参考通道分别与两互补裂环谐振器的曲折槽重叠且严格对齐,参考通道用作参考,测试通道用于注入二元混合液体时进行测试。

    基于集成无源器件工艺的小型化传输零点可控带通滤波器

    公开(公告)号:CN113810003A

    公开(公告)日:2021-12-17

    申请号:CN202110989529.0

    申请日:2021-08-26

    Abstract: 本发明公开基于集成无源器件工艺的小型化传输零点可控带通滤波器。本发明带通滤波器在经典的三阶切比雪夫带通滤波器的基础上,在源端口与谐振器1之间插入一个电容从而引入容性耦合,在上边带的带外抑制处产生一个传输零点;在源端口处并联一个LC谐振器,在下边带的带外抑制处产生一个传输零点;在负载端口处并联一个LC谐振器,在上边带的带外抑制处再产生一个传输零点,从而实现滤波器的高带外抑制性能。衬底介质采用砷化镓材料,其电阻率较以往的硅材料要高,所以能减少涡流效应带来的衬底损耗。因此该带通滤波器采用零点控制技术很好的实现了高带外抑制的功能,较好得覆盖了5G通信频段3300~4900MHz。

    用于微流体的温度补偿微带传感器

    公开(公告)号:CN113959564B

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN202111091675.8

    申请日:2021-09-17

    Abstract: 本发明公开了用于微流体的温度补偿微带传感器,包括介质基板,基板底面刻蚀裂环谐振器并设置微带部分,微带部分包括两条主微带线和两条分支微带线,两条分支微带线围成矩形状且两侧分别与同侧的主微带线形成T型结,主微带线的另一端为端口;基板顶层刻蚀两个互补裂环谐振器,每条分支微带线分别激励一个互补裂环谐振器;互补裂环谐振器设有液体注入口和液体流出口,液体注入口与液体流出口之间的介质基板上刻蚀有曲折槽;PDMS微流控通道基板置于两个互补裂环谐振器上方,PDMS微流控通道基板设有测试通道和参考通道,测试通道、参考通道分别与两互补裂环谐振器的曲折槽重叠且严格对齐,参考通道用作参考,测试通道用于注入二元混合液体时进行测试。

    基于集成无源器件工艺的小型化传输零点可控带通滤波器

    公开(公告)号:CN113810003B

    公开(公告)日:2023-09-08

    申请号:CN202110989529.0

    申请日:2021-08-26

    Abstract: 本发明公开基于集成无源器件工艺的小型化传输零点可控带通滤波器。本发明带通滤波器在经典的三阶切比雪夫带通滤波器的基础上,在源端口与谐振器1之间插入一个电容从而引入容性耦合,在上边带的带外抑制处产生一个传输零点;在源端口处并联一个LC谐振器,在下边带的带外抑制处产生一个传输零点;在负载端口处并联一个LC谐振器,在上边带的带外抑制处再产生一个传输零点,从而实现滤波器的高带外抑制性能。衬底介质采用砷化镓材料,其电阻率较以往的硅材料要高,所以能减少涡流效应带来的衬底损耗。因此该带通滤波器采用零点控制技术很好的实现了高带外抑制的功能,较好得覆盖了5G通信频段3300~4900MHz。

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