公开(公告)号：CN109508500B

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN201811365053.8

申请日：2018-11-16

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 戴良 ,  吕伟锋 ,  赵志峰 ,  司鹏

IPC: G06F30/398

Abstract: 本发明公开了一种估计金属栅晶粒随机取向引起FinFET阈值统计分布的方法，该估计方法具体包括6个步骤：先用sentaurus设计出合适的结构模型，然后在sdevice中确定栅极金属晶粒随机取向的参数模型，接着仿真出随机生成的500个栅极金属晶粒随机取向模型的模拟/射频性能参数，再接着使用Inspect工具提取出Id‑Vg曲线并调用f_VT1函数提取出器件性能参数VT的样本数据，然后将相关数据导入至Origin中，根据最大似然法利用Origin的分析工具箱判断拟合GaussAmp统计分布，最后通过卡方检验验证统计分布的正确性。本发明提供了一种在可以在电路设计早期快速精确地估计由于FinFET器件的栅极金属晶粒随机取向导致实际器件和电路的模拟/射频性能变化统计分布的方法。

公开(公告)号：CN109508500A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201811365053.8

申请日：2018-11-16

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 戴良 ,  吕伟锋 ,  赵志峰 ,  司鹏

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种估计金属栅晶粒随机取向引起FinFET阈值统计分布的方法，该估计方法具体包括6个步骤：先用sentaurus设计出合适的结构模型，然后在sdevice中确定栅极金属晶粒随机取向的参数模型，接着仿真出随机生成的500个栅极金属晶粒随机取向模型的模拟/射频性能参数，再接着使用Inspect工具提取出Id-Vg曲线并调用f_VT1函数提取出器件性能参数VT的样本数据，然后将相关数据导入至Origin中，根据最大似然法利用Origin的分析工具箱判断拟合GaussAmp统计分布，最后通过卡方检验验证统计分布的正确性。本发明提供了一种在可以在电路设计早期快速精确地估计由于FinFET器件的栅极金属晶粒随机取向导致实际器件和电路的模拟/射频性能变化统计分布的方法。