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公开(公告)号：CN119300696A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411826664.3
申请日：2024-12-12
Applicant: 杭州应用声学研究所(中国船舶集团有限公司第七一五研究所)
IPC: H10N30/077 , G01H11/08 , H10N30/098 , H10N30/045
Abstract: 本发明涉及一种用于MEMS水听器的压电共聚物薄膜制备方法，包括以下步骤，步骤1，基底表面氧化处理，基底选择单晶硅片，依次用丙酮、无水乙醇、超纯水超声清洗基底各10min以上，然后干燥基底，采用湿氧氧化处理方法在单晶硅基底上制备一层250‑250nm的绝缘二氧化硅层，其作用为确保压电MEMS器件与单晶硅基底间的绝缘，并提高下电极层、压电共聚物薄膜层与基底间的结合力。本发明可实现5‑10μm的薄膜制备。
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公开(公告)号：CN119300696B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411826664.3
申请日：2024-12-12
Applicant: 杭州应用声学研究所(中国船舶集团有限公司第七一五研究所)
IPC: H10N30/077 , G01H11/08 , H10N30/098 , H10N30/045
Abstract: 本发明涉及一种用于MEMS水听器的压电共聚物薄膜制备方法，包括以下步骤，步骤1，基底表面氧化处理，基底选择单晶硅片，依次用丙酮、无水乙醇、超纯水超声清洗基底各10min以上，然后干燥基底，采用湿氧氧化处理方法在单晶硅基底上制备一层250‑250nm的绝缘二氧化硅层，其作用为确保压电MEMS器件与单晶硅基底间的绝缘，并提高下电极层、压电共聚物薄膜层与基底间的结合力。本发明可实现5‑10μm的薄膜制备。
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公开(公告)号：CN119291696B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411826668.1
申请日：2024-12-12
Applicant: 杭州应用声学研究所(中国船舶集团有限公司第七一五研究所)
Abstract: 本发明涉及一种高频成像声纳基阵的布阵设计方法，采用整张压电性能区域化设计的压电聚合物薄膜与前置放大电路、电极结构、支撑结构一体设计；其中，电极结构包括电极和电极片；支撑结构包括圆筒、端盖；电路板采用整块PCB板制作而成，电路板上分布预定数量的孔洞，电路板一侧边角镶嵌有电极。本发明有效规避了基于传统压电陶瓷声纳基阵的设计弊端，同时聚合物薄膜非传感部分不参与声信号的拾取，避免了水听器工作中横向模态的串扰。
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公开(公告)号：CN119291695A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411826665.8
申请日：2024-12-12
Applicant: 杭州应用声学研究所(中国船舶集团有限公司第七一五研究所)
Abstract: 本发明涉及一种高频成像声纳基阵结构及其设计方法，包括电路板、压电薄膜、电极、电极片、金属柱、电路、接线板、金属芯、插头、圆筒、端盖、灌注层和接插件，压电薄膜与电路板、电极、电极片、电路一体设计作为声纳基阵的传感基元；其中，电路板采用整块PCB板制作而成，电路板上镶嵌有若干金属柱，电路板左右两边各镶嵌一个电极；压电薄膜采用聚偏二氟乙烯(PVDF)压电膜或二氟乙稀和三氟乙稀共聚物P(VDF‑TrFE)压电薄膜，压电薄膜正反面均涂覆有金属导电电极。本发明采用整张压电聚合物薄膜与采集放大电路、结构一体设计，有效规避了现有技术中基于传统压电陶瓷声纳基阵的设计弊端。
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公开(公告)号：CN119270336A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411826679.X
申请日：2024-12-12
Applicant: 杭州应用声学研究所(中国船舶集团有限公司第七一五研究所)
Abstract: 本发明涉及一种基于柔性电路的PVDF圆管矢量水听器及其加工方法，水听器包括PVDF圆管、第一柔性电路、金属背衬、上端盖、下端盖、和水密连接器；其中，PVDF圆管由PVDF膜卷制而成，PVDF圆管1沿圆周面均匀间隔设置若干电极；第一柔性电路用于屏蔽电磁干扰和放大信号，第一柔性电路上设有多个与PVDF圆管上的电极一一对应的第二电极，第二电极分别与PVDF圆管上的电极对应连接，第一柔性电路上设有屏蔽层。本发明采用PVDF膜卷制PVDF圆管的形式可以解决PVDF圆管一体成型难度高的问题，可制作大尺寸PVDF圆管矢量水听器，有效降低圆管矢量水听器工作频率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119291695B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411826665.8
申请日：2024-12-12
Applicant: 杭州应用声学研究所(中国船舶集团有限公司第七一五研究所)
Abstract: 本发明涉及一种高频成像声纳基阵结构及其设计方法，包括电路板、压电薄膜、电极、电极片、金属柱、电路、接线板、金属芯、插头、圆筒、端盖、灌注层和接插件，压电薄膜与电路板、电极、电极片、电路一体设计作为声纳基阵的传感基元；其中，电路板采用整块PCB板制作而成，电路板上镶嵌有若干金属柱，电路板左右两边各镶嵌一个电极；压电薄膜采用聚偏二氟乙烯(PVDF)压电膜或二氟乙稀和三氟乙稀共聚物P(VDF‑TrFE)压电薄膜，压电薄膜正反面均涂覆有金属导电电极。本发明采用整张压电聚合物薄膜与采集放大电路、结构一体设计，有效规避了现有技术中基于传统压电陶瓷声纳基阵的设计弊端。
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公开(公告)号：CN119299919B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411826685.5
申请日：2024-12-12
Applicant: 杭州应用声学研究所(中国船舶集团有限公司第七一五研究所)
Abstract: 本发明涉及一种基于电磁屏蔽与支撑功能的水密橡胶套及其装配方法，包括上下拼合设置的上水密套、下水密套，上水密套、下水密套中间设有屏蔽层，屏蔽层为复合板结构，屏蔽层包括作为芯层的金属导电网和位于芯层两侧的透声材料层，上水密套、屏蔽层、下水密套硫化固定，其中，屏蔽层上还设有屏蔽层引线孔和屏蔽层定位孔。本发明可以提高换能器水密层电磁屏蔽能力以及降低工艺难度。
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公开(公告)号：CN119294343A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411826671.3
申请日：2024-12-12
Applicant: 杭州应用声学研究所(中国船舶集团有限公司第七一五研究所)
IPC: G06F30/392 , G06F30/398
Abstract: 本发明涉及一种图案化电极结构设计方法，准备好金属电极层和绝缘基底，其中，绝缘基底选用聚脂薄膜或聚酰亚胺，金属电极层为压延铜、电解铜、铝、金、石墨烯、碳纳米管、导电银浆中的任一种或其组合；绝缘基底与相同面积的金属电极层之间采用环氧类或丙烯酸类等胶粘剂粘接成型，并通过模冲技术裁切形成所需的外形，其中，绝缘基底和金属电极层上均预留有连接引线的引脚结构。本发明可以根据需求自由定制图案化的电极结构，能够使用一个完整的压电器件引出多个电极，极大程度的降低了布阵工艺难度，同时也可以提高电极与压电器件之间的粘接能力，解决了电极与压电器件容易脱粘的问题。
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公开(公告)号：CN119285829A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411826680.2
申请日：2024-12-12
Applicant: 杭州应用声学研究所(中国船舶集团有限公司第七一五研究所)
IPC: C08F214/22 , C08F6/02 , C08F6/00
Abstract: 本发明涉及一种含氟共聚物树脂的酸处理及沉淀分离提纯方法，包括以下步骤，S1，预处理：用超纯水浸泡清洗粉末状的含氟共聚物树脂，去除悬浮污染物；S2，溶解：将经过步骤S1预处理干燥后的含氟共聚物树脂溶解于有机溶剂中；S3，酸处理：将酸溶液加入经过步骤S2得到的含氟共聚物溶液中，充分混合；S4，沉淀析出：将经过步骤S3得到的溶液在搅拌条件下加入超纯水中沉淀析出白色固体；S5，固液分离：对经过步骤S4得到的含有白色固体的分散液进行过滤或离心，得到含氟共聚物树脂固体，并进行干燥；S6,反复提纯：将经过步骤S5得到的含氟共聚物树脂固体重复步骤S2‑S5。本发明能够去除微量金属及其他杂质残留，满足后续的极化要求，大大降低电击穿概率。
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公开(公告)号：CN119299919A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411826685.5
申请日：2024-12-12
Applicant: 杭州应用声学研究所(中国船舶集团有限公司第七一五研究所)
Abstract: 本发明涉及一种基于电磁屏蔽与支撑功能的水密橡胶套及其装配方法，包括上下拼合设置的上水密套、下水密套，上水密套、下水密套中间设有屏蔽层，屏蔽层为复合板结构，屏蔽层包括作为芯层的金属导电网和位于芯层两侧的透声材料层，上水密套、屏蔽层、下水密套硫化固定，其中，屏蔽层上还设有屏蔽层引线孔和屏蔽层定位孔。本发明可以提高换能器水密层电磁屏蔽能力以及降低工艺难度。
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