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公开(公告)号：CN114447204A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202210371353.7
申请日：2022-04-11
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供了一种满足大晶圆尺寸的约瑟夫森结、制备方法和用途，在衬底上制备Ta（110）膜，光刻制备超导电路结构，掩膜光刻形成下电极Ta（110）层，下电极Ta（110）层表面制备Ta2O5氧化层作为中间层，掩膜光刻形成上电极Ta（110）层，制备得到所述的约瑟夫森结。本发明以Ta（110）超导薄膜作为约瑟夫森结的下电极和上电极，其表面的Ta2O5氧化层具有致密、稳定等特点，可采用食人鱼溶液进行钝化、优化，进一步去除光刻残胶，并保证超导电路结构及约瑟夫森结的稳定，具有工艺步骤简洁、稳定可控、集成度高等特点，可制备满足大晶圆尺寸范围内均一、稳定的约瑟夫森结，适用于不同面积的约瑟夫森结的调控。
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公开(公告)号：CN113921691A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111480542.X
申请日：2021-12-07
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供了一种约瑟夫森结、约瑟夫森结阵列、其制备方法和用途，所述约瑟夫森结的制备方法包括：选用A面蓝宝石作为衬底，基于小的晶格错配度，可制备出表面平整的准外延Ta（110）超导薄膜，作为约瑟夫森结下电极；进一步地，借助氧化或者沉积方法形成致密、稳定且可控的Ta2O5氧化层作为约瑟夫森结中间层；其上再沉积一层Ta超导层作为约瑟夫森结上电极；后兼容光刻和空气桥方案进行超导电路制备及结电极的导通，完成约瑟夫森结阵列制备。所涉及方案中采用化学钝化方式对超导电路及约瑟夫森结进行保护。本发明避免了复杂的悬胶和双倾角蒸镀等工艺步骤，具有工艺步骤简洁，成品率高、可规模化等特点。
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公开(公告)号：CN114447204B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210371353.7
申请日：2022-04-11
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供了一种满足大晶圆尺寸的约瑟夫森结、制备方法和用途，在衬底上制备Ta（110）膜，光刻制备超导电路结构，掩膜光刻形成下电极Ta（110）层，下电极Ta（110）层表面制备Ta2O5氧化层作为中间层，掩膜光刻形成上电极Ta（110）层，制备得到所述的约瑟夫森结。本发明以Ta（110）超导薄膜作为约瑟夫森结的下电极和上电极，其表面的Ta2O5氧化层具有致密、稳定等特点，可采用食人鱼溶液进行钝化、优化，进一步去除光刻残胶，并保证超导电路结构及约瑟夫森结的稳定，具有工艺步骤简洁、稳定可控、集成度高等特点，可制备满足大晶圆尺寸范围内均一、稳定的约瑟夫森结，适用于不同面积的约瑟夫森结的调控。
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公开(公告)号：CN113921691B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111480542.X
申请日：2021-12-07
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供了一种约瑟夫森结、约瑟夫森结阵列、其制备方法和用途，所述约瑟夫森结的制备方法包括：选用A面蓝宝石作为衬底，基于小的晶格错配度，可制备出表面平整的准外延Ta（110）超导薄膜，作为约瑟夫森结下电极；进一步地，借助氧化或者沉积方法形成致密、稳定且可控的Ta2O5氧化层作为约瑟夫森结中间层；其上再沉积一层Ta超导层作为约瑟夫森结上电极；后兼容光刻和空气桥方案进行超导电路制备及结电极的导通，完成约瑟夫森结阵列制备。所涉及方案中采用化学钝化方式对超导电路及约瑟夫森结进行保护。本发明避免了复杂的悬胶和双倾角蒸镀等工艺步骤，具有工艺步骤简洁，成品率高、可规模化等特点。
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