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公开(公告)号：CN113903657A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111136384.6
申请日：2021-09-27
Applicant: 材料科学姑苏实验室
IPC: H01L21/027 , H01L21/3205 , H01L23/544 , B82Y40/00
Abstract: 本发明实施例提供一种芯片的制作方法，该制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底一侧形成一金属层；图形化所述金属层形成对准标记和大尺寸结构图形；在所述大尺寸结构图形远离所述衬底一侧形成抗蚀剂膜层，其中，所述抗蚀剂膜层覆盖所述大尺寸结构图形和裸露的所述衬底；对所述抗蚀剂膜层进行图案化形成通孔；在所述通孔内形成纳米结构图形；去除所述抗蚀剂膜层。本发明实施例提供的芯片的制作方法，能够简化制作步骤，提高制作效率，降低制作成本。
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