一种氮氧化物荧光粉、其制备方法及含该荧光粉的发光装置

    公开(公告)号:CN103881706B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201210560563.7

    申请日:2012-12-21

    Abstract: 本发明提供一种氮氧化物荧光粉、其制备方法及含该荧光粉的发光装置。该荧光粉的化学式为mM3-x/2-d(N2-x,Ox)·aA1-y/3(N1-y,Oy)·bD3-z/4(N4-z,Oz)·n(SiC):dR,其中M元素为Mg、Ca、Sr、Ba中的一种或一种以上元素;A元素为B、Al、Ga、La、Gd、Sc和Y中的一种或一种以上元素;D元素为Si、Ge和Ti中的一种或一种以上元素;R元素为Ce、Eu和Mn中的一种或一种以上元素,其中必含Eu;0≤x≤0.3,0≤y≤0.3,0≤z≤0.3,0<x+y+z≤0.3,0.7≤m≤1,2.1≤a≤3,1≤b≤1.3,0.001≤d≤0.2,0≤n≤0.2。该荧光粉可被紫外、紫光或蓝光LED有效激发,具有激发波长范围广、发光效率高、热稳定性能优异的特点。该荧光粉具有完善的晶体结构和优良的发光特性。该荧光粉的制备方法包含混料和煅烧过程,简单易行、无污染、成本低。含有该荧光粉的发光装置,具有低色温、高光效、高显色性能的特点。

    一种发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN100365837C

    公开(公告)日:2008-01-30

    申请号:CN200510076649.2

    申请日:2005-06-13

    Abstract: 本发明公开了一种发光装置,其中包含一种紫外光、或紫光、或蓝光半导体发光芯片,以及可有效吸收半导体发光芯片的发光并释放出不同颜色光的荧光粉。其中紫外光、或紫光、或蓝光半导体发光芯片是指发光主峰波长位于350nm-500nm的半导体发光元件,至少包含组成式为M1S:Mx2的荧光粉,其中:M1为Zn,Cd和Mg元素中至少一种,M2为Cu、Ag、Al、Mn、Au和Cl中至少一种,1×10-6≤x≤0.05。本发明的发光装置具有显色性好、相关色温可调范围宽、发光强度高、稳定性较好等特点,制造方法简单、成本低。

    白光LED用复合氧化物荧光粉及其所制成的电光源

    公开(公告)号:CN1331982C

    公开(公告)日:2007-08-15

    申请号:CN200410080483.7

    申请日:2004-10-11

    CPC classification number: Y02B20/181

    Abstract: 本发明公开了一种可被紫外、紫光或蓝光LED有效激发的复合氧化物荧光粉及其制造方法和所制成的电光源。该荧光粉的化学式为AaMO4:Ry,其中,A为Y,La,Gd,Li,Na,K,Rb,Cs,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd和Ag中的一种或几种;M为Cr、Mo、W、V、Nb、Ta、Ti、Zr和Hf中的一种或几种;R为Pr,Sm,Tb和Dy中的一种或几种;0.1≤a≤2,0.0001≤x<0.5。制造方法为:将上述化学式中的A、M、R的单质、化合物或相应的盐类及适量的助熔剂,混磨均匀后,通过高温合成,经后处理得到该材料。本发明的荧光粉具有激发波长范围广、高效、稳定等特点,制造方法简单、无污染、成本低。用本发明的荧光粉配合紫外、紫光或蓝光LED可制成新型的电光源。

    一种白光LED用荧光粉及其制造方法和所制成的电光源

    公开(公告)号:CN1260321C

    公开(公告)日:2006-06-21

    申请号:CN03137335.6

    申请日:2003-06-18

    CPC classification number: Y02B20/181

    Abstract: 本发明公开了一种白光LED用荧光粉及其制造方法和所制成的电光源。该荧光粉的结构式为:AxM(SiO4)4X2:Euy,Rz。其中,A为Ca,Sr,Ba中至少一种;M为Mg,Zn,Ti,Cd中至少一种;X为F,Cl,Br,I中至少一种;R为Dy,Pr,Tb中至少一种;7<x<12;0.001<y<0.5;0<z<0.5。其制造方法为:将上述结构式中的元素的单质、氧化物或相应盐类,加入助熔剂,混磨均匀后,在高温下经还原反应合成,经后处理后得到该材料。涉及基质、激活剂、敏化剂等原料的选择、混料、还原、和后处理等。本发明的荧光粉具有化学稳定性好、发光强度高、激发波长非常宽等特点,制造方法简单、无污染、成本低。

    深红色荧光粉及其制造方法和所制成的装置

    公开(公告)号:CN1544578A

    公开(公告)日:2004-11-10

    申请号:CN200310115339.8

    申请日:2003-11-19

    Abstract: 一种可被蓝光和红光有效激发而发深红色光的荧光粉及其制造方法和所制成的电光源、显示、探测和监控装置。该荧光粉的化学式为:Ra-yM5-xOb∶Crx,R’y。其中,2.5<a<3.5,11.25<b<13.25,R为Y,Gd,Lu,Sc,La,Sm中至少一种;M为Al,Ga,B,In,P,Ge,Zn中至少一种;0.001<x<0.5;R’可以为Eu,Dy,Ce,Tb,Pr,Mn中一种或几种,0≤y<0.5。制造方法为:将上述化学式中的元素的单质、氧化物或相应的盐类,加入助熔剂,混磨均匀后,通过高温合成,经后处理得到该材料。助熔剂为AlF3,GdF3,GaF3,BaF2,YF3,NH4HF2,CeF3,KF,AlCl3,GdCl3,BaCl2,YCl3,H3BO3中的一种或几种。本发明的荧光粉具有激发波长宽、高效、均匀、无杂相、稳定等特点,制造方法简单、无污染、成本低。

    荧光粉的还原方法及其设备

    公开(公告)号:CN1461790A

    公开(公告)日:2003-12-17

    申请号:CN02121084.5

    申请日:2002-05-31

    Abstract: 本发明涉及在高温可控还原性气氛下的烧成低价金属离子激活荧光粉的方法及使用设备。该方法包括下述步骤:(1)将待还原荧光粉前体装入高温电阻炉中;(2)制备可控还原性气体,并通入高温电阻炉中,排除炉内空气;(3)高温电阻炉加热,加热温度为1000℃~1800℃,加热时间为3-5小时,可控还原性气氛连续通过高温电阻炉;(4)将加热后的物料通过冷却区,进行急剧冷却;(5)将物料破碎,研磨,洗涤,烘干,过筛即得产品。该设备包括可控还原性气氛的发生、净化处理装置,和将高温电阻炉。采用本发明的方法和设备可使该前体在还原性条件下形成荧光粉晶体,所制造的荧光粉具有亮度高,颗粒尺寸小的优点。

    一种荧光粉的制备方法及其所制成的荧光粉

    公开(公告)号:CN104046355B

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201310084071.X

    申请日:2013-03-15

    Abstract: 本发明公开一种荧光粉的制备方法及其所制成的荧光粉。该制备方法首先需将M3N2(M为Ca,Sr和Ba中的至少一种元素)和Si3N4按化学计量比混合,煅烧后获得预烧产物,然后将所获预烧产物与所需的氮化铕,氮化铝及碱土金属氮化物等原料混合,在1200-1800℃下保温烧结3-20小时,将烧结产物经过破碎、洗涤、分级等处理后得到荧光粉。与现有技术相比,利用本发明提供的制备方法得到的荧光粉具有晶粒粒径大、结晶性好,热稳定性强,亮度高等优点。

    一种发光装置及具有该发光装置的发光器件

    公开(公告)号:CN103855287A

    公开(公告)日:2014-06-11

    申请号:CN201210511509.3

    申请日:2012-12-04

    Abstract: 本发明提供一种发光装置及具有该发光装置的发光器件,该发光装置至少包括两种类型的发光二极管芯片以及包覆在该发光二极管芯片表面的荧光粉层,其中第一种芯片表面涂敷的荧光粉为一种或多种红色荧光粉,第二种芯片表面涂敷的荧光粉为一种或多种黄色荧光粉和/或绿色荧光粉。本发明的发光装置包括两种类型的发光二极管芯片,红色荧光粉与黄色荧光粉和/绿色荧光粉分别涂覆在不同的芯片上,黄色荧光粉和/或绿色荧光粉受激发后发射出的光没有被红色荧光粉所吸收,从而提高了黄色和/或绿色荧光粉的发光效率,进而提高了整个装置的发光效率。

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