公开(公告)号：CN118299931B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410721303.6

申请日：2024-06-05

Applicant: 有研工程技术研究院有限公司

Inventor： 赵鸿滨 ,  屠海令 ,  卢学翰

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/347 ,  H01S5/343 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体紫外点光源激光器的制备方法，属于半导体光电子技术领域。该制备方法包括如下步骤：（1）采用原子层沉积方法在GaN薄膜表面制备MgO薄膜；（2）采用热分解方式在MgO薄膜表面制备ZnO籽晶，反应源为醋酸锌；（3）采用水热合成方法生长ZnO纳米线，反应源为醋酸锌和六次甲基四胺等比例混合；（4）采用化学浴沉积方法在ZnO纳米线表面制备ZnS量子点；（5）采用热蒸发方式制备电极材料。本发明在传统ZnO‑MgO‑GaN结构基础上，将ZnO层纳米结构化；进一步在ZnO纳米线表面引入ZnS量子点壳层，增强ZnO表面及侧壁的反射能力，保证光子由ZnO‑MgO界面处出射，最终形成点光源。

公开(公告)号：CN118299931A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410721303.6

申请日：2024-06-05

Applicant: 有研工程技术研究院有限公司

Inventor： 赵鸿滨 ,  屠海令 ,  卢学翰

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/347 ,  H01S5/343 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体紫外点光源激光器的制备方法，属于半导体光电子技术领域。该制备方法包括如下步骤：（1）采用原子层沉积方法在GaN薄膜表面制备MgO薄膜；（2）采用热分解方式在MgO薄膜表面制备ZnO籽晶，反应源为醋酸锌；（3）采用水热合成方法生长ZnO纳米线，反应源为醋酸锌和六次甲基四胺等比例混合；（4）采用化学浴沉积方法在ZnO纳米线表面制备ZnS量子点；（5）采用热蒸发方式制备电极材料。本发明在传统ZnO‑MgO‑GaN结构基础上，将ZnO层纳米结构化；进一步在ZnO纳米线表面引入ZnS量子点壳层，增强ZnO表面及侧壁的反射能力，保证光子由ZnO‑MgO界面处出射，最终形成点光源。