一种消影的图案化透明导电电极制备方法

    公开(公告)号:CN111710475B

    公开(公告)日:2020-12-29

    申请号:CN202010618299.2

    申请日:2020-06-30

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明涉及一种消影的图案化透明导电电极制备方法,具体包括以下步骤:S1在衬底上沉积金属纳米线,形成金属纳米线交联网络层;S2采用巯基化合物对金属纳米线交联网络进行选择性修饰,改变金属纳米线交联网络层部分区域的热稳定性,在修饰与未修饰区域之间形成热稳定性差异,得到结构化修饰的交联网络层;S3对结构化修饰的交联网络层进行加热,在金属纳米线交联网络层热稳定性差的部位得到绝缘区域,在金属纳米线交联网络层热稳定性好的部位得到导电区域,形成消影的图案化透明导电电极。本方法制备的图案化导电电极图案与非图案区域的光学性能差异小,具备消影的特点,能满足实际应用中不可视透明电极的需求。

    一种金属纳米线的光熔接方法、金属透明导电电极及金属纳米线油墨

    公开(公告)号:CN113744927B

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202110887041.7

    申请日:2021-08-03

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明公开了一种金属纳米线的光熔接方法,包括以下步骤:在基底上制备金属纳米线薄膜;金属纳米线薄膜包含金属纳米线、粘合剂和光学助熔剂;光学助熔剂包括金属纳米颗粒、有机多卤化合物、磺酸酯类、鎓盐、金属盐中的一种以上;金属纳米线薄膜在波长200‑2500nm的光源下进行辐照,在纳米线的交叠点处的增强光场及其光热与助熔剂作用下,实现金属纳米线交叠点熔接。本发明还公开了可用于该熔接方法的金属纳米线油墨。本发明的金属纳米线油墨和光熔接方法,既显著提升金属纳米线透明电极电导率,又同时增加其透光率、降低其雾度、增强其抗氧化性和粘附性;并具有工艺简单、耗能低、成本低廉、可大面积实施的优点。

    一种消影的图案化透明导电电极制备方法

    公开(公告)号:CN111710475A

    公开(公告)日:2020-09-25

    申请号:CN202010618299.2

    申请日:2020-06-30

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明涉及一种消影的图案化透明导电电极制备方法,具体包括以下步骤:S1在衬底上沉积金属纳米线,形成金属纳米线交联网络层;S2采用巯基化合物对金属纳米线交联网络进行选择性修饰,改变金属纳米线交联网络层部分区域的热稳定性,在修饰与未修饰区域之间形成热稳定性差异,得到结构化修饰的交联网络层;S3对结构化修饰的交联网络层进行加热,在金属纳米线交联网络层热稳定性差的部位得到绝缘区域,在金属纳米线交联网络层热稳定性好的部位得到导电区域,形成消影的图案化透明导电电极。本方法制备的图案化导电电极图案与非图案区域的光学性能差异小,具备消影的特点,能满足实际应用中不可视透明电极的需求。

    一种金属纳米线的光熔接方法、金属透明导电电极及金属纳米线油墨

    公开(公告)号:CN113744927A

    公开(公告)日:2021-12-03

    申请号:CN202110887041.7

    申请日:2021-08-03

    Applicant: 暨南大学

    Abstract: 本发明公开了一种金属纳米线的光熔接方法,包括以下步骤:在基底上制备金属纳米线薄膜;金属纳米线薄膜包含金属纳米线、粘合剂和光学助熔剂;光学助熔剂包括金属纳米颗粒、有机多卤化合物、磺酸酯类、鎓盐、金属盐中的一种以上;金属纳米线薄膜在波长200‑2500nm的光源下进行辐照,在纳米线的交叠点处的增强光场及其光热与助熔剂作用下,实现金属纳米线交叠点熔接。本发明还公开了可用于该熔接方法的金属纳米线油墨。本发明的金属纳米线油墨和光熔接方法,既显著提升金属纳米线透明电极电导率,又同时增加其透光率、降低其雾度、增强其抗氧化性和粘附性;并具有工艺简单、耗能低、成本低廉、可大面积实施的优点。

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