氧化铟锡单分散纳米粉体的低温溶剂热制备方法

    公开(公告)号:CN101624173A

    公开(公告)日:2010-01-13

    申请号:CN200910041342.7

    申请日:2009-07-23

    Applicant: 暨南大学

    Inventor: 孟建新 邓小玲

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种氧化铟锡单分散纳米粉体的低温溶剂热制备方法。该方法包括以下步骤:将铟锡氢氧化物的乙二醇悬浮液放入反应釜中进行低温溶剂热反应,反应完成后将所得沉淀离心分离,洗涤,干燥,得到氧化铟或氧化铟锡单分散纳米粉体;所述低温溶剂热反应是在180~300℃温度条件下反应0.5~20h。本发明利用简单的低温溶剂热合成法,一步反应即可,工序简单、易于操作;反应所需的温度低,不需煅烧,设备简单、成本低、操作安全、污染小;制备的氧化铟、ITO粉体平均粒径可小于100nm,粒径分布范围窄,分散性很好。

    氧化铟锡单分散纳米粉体的低温溶剂热制备方法

    公开(公告)号:CN101624173B

    公开(公告)日:2011-11-16

    申请号:CN200910041342.7

    申请日:2009-07-23

    Applicant: 暨南大学

    Inventor: 孟建新 邓小玲

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种氧化铟锡单分散纳米粉体的低温溶剂热制备方法。该方法包括以下步骤:将铟锡氢氧化物的乙二醇悬浮液放入反应釜中进行低温溶剂热反应,反应完成后将所得沉淀离心分离,洗涤,干燥,得到氧化铟或氧化铟锡单分散纳米粉体;所述低温溶剂热反应是在180~300℃温度条件下反应0.5~20h。本发明利用简单的低温溶剂热合成法,一步反应即可,工序简单、易于操作;反应所需的温度低,不需煅烧,设备简单、成本低、操作安全、污染小;制备的氧化铟、ITO粉体平均粒径可小于100nm,粒径分布范围窄,分散性很好。

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