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公开(公告)号:CN101624173A
公开(公告)日:2010-01-13
申请号:CN200910041342.7
申请日:2009-07-23
Applicant: 暨南大学
IPC: B82B3/00 , C01G19/00 , B82B1/00 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , H01L31/18 , H01L31/0224 , F24J2/00 , C09K3/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种氧化铟锡单分散纳米粉体的低温溶剂热制备方法。该方法包括以下步骤:将铟锡氢氧化物的乙二醇悬浮液放入反应釜中进行低温溶剂热反应,反应完成后将所得沉淀离心分离,洗涤,干燥,得到氧化铟或氧化铟锡单分散纳米粉体;所述低温溶剂热反应是在180~300℃温度条件下反应0.5~20h。本发明利用简单的低温溶剂热合成法,一步反应即可,工序简单、易于操作;反应所需的温度低,不需煅烧,设备简单、成本低、操作安全、污染小;制备的氧化铟、ITO粉体平均粒径可小于100nm,粒径分布范围窄,分散性很好。
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公开(公告)号:CN101624173B
公开(公告)日:2011-11-16
申请号:CN200910041342.7
申请日:2009-07-23
Applicant: 暨南大学
IPC: B82B3/00 , C01G19/00 , B82B1/00 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , H01L31/18 , H01L31/0224 , F24J2/00 , C09K3/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种氧化铟锡单分散纳米粉体的低温溶剂热制备方法。该方法包括以下步骤:将铟锡氢氧化物的乙二醇悬浮液放入反应釜中进行低温溶剂热反应,反应完成后将所得沉淀离心分离,洗涤,干燥,得到氧化铟或氧化铟锡单分散纳米粉体;所述低温溶剂热反应是在180~300℃温度条件下反应0.5~20h。本发明利用简单的低温溶剂热合成法,一步反应即可,工序简单、易于操作;反应所需的温度低,不需煅烧,设备简单、成本低、操作安全、污染小;制备的氧化铟、ITO粉体平均粒径可小于100nm,粒径分布范围窄,分散性很好。
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