公开(公告)号：CN101880058B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201010181326.0

申请日：2010-05-18

Applicant: 暨南大学

Inventor： 袁定胜 ,  夏南南 ,  莫珊珊 ,  刘应亮

IPC: C01G31/02 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明公开了一种低温水热合成纳米带状V2O5的方法。该方法包括步骤：(1)将表面活性剂溶于二次去离子水中，得到浓度为0.001～0.01M的溶液1；(2)将NH4VO3溶于溶液1中，搅拌至溶解，得到浓度为14.2mM～428mM的溶液2；(3)将还原剂按体积比1∶5～1∶10加入溶液2中，搅拌，转入聚四氟乙烯的内衬反应釜中，在160℃～180℃条件下进行水热反应12～24h，干燥，得到NH4V4O10沉淀；(4)将干燥后的沉淀于300℃～500℃下热处理1～3h，得纳米带状V2O5。该纳米带状V2O5可应用于制备传感器、自旋电子器件、纳米光刻模板或高容量电极材料。

公开(公告)号：CN101880058A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN201010181326.0

申请日：2010-05-18

Applicant: 暨南大学

Inventor： 袁定胜 ,  夏南南 ,  莫珊珊 ,  刘应亮

IPC: C01G31/02 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明公开了一种低温水热合成纳米带状V2O5的方法。该方法包括步骤：(1)将表面活性剂溶于二次去离子水中，得到浓度为0.001～0.01M的溶液1；(2)将NH4VO3溶于溶液1中，搅拌至溶解，得到浓度为14.2mM～428mM的溶液2；(3)将还原剂按体积比1∶5～1∶10加入溶液2中，搅拌，转入聚四氟乙烯的内衬反应釜中，在160℃～180℃条件下进行水热反应12～24h，干燥，得到NH4V4O10沉淀；(4)将干燥后的沉淀于300℃～500℃下热处理1～3h，得纳米带状V2O5。该纳米带状V2O5可应用于制备传感器、自旋电子器件、纳米光刻模板或高容量电极材料。