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公开(公告)号：CN108279450A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810078967.X
申请日：2018-01-26
Applicant: 暨南大学
IPC: G02B5/00
Abstract: 本发明提供了一种光耦合材料，包括衬底和设置在所述衬底表面的纳米线交叉耦合层，所述纳米线交叉耦合层包括核-壳量子点掺杂聚合物纳米线和与所述核-壳量子点掺杂聚合物纳米线相接触的金属纳米线。本发明提供的所述光耦合材料中，金属纳米线的等离激元可以被来自核-壳量子点掺杂聚合物纳米线的光致发光信号有效的激发，进而提高光耦合材料的耦合性能。本发明还提供了所述光耦合材料的制备方法，该方法将金属纳米线与核-壳量子点掺杂聚合物纳米线组装成交叉结构，实现了光耦合，既经济又高效。
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