公开(公告)号：CN1243070C

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN01104631.7

申请日：2001-01-23

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  昭和铝株式会社

Inventor： 宫田宪彦 ,  多田清志 ,  冨田贤二

IPC: C09K3/14 ,  G11B5/84

Abstract: 本发明提供一种用于抛光磁记录盘基体、使该磁记录盘表面粗糙度降低的磨料组合物。可获得高密度记录而不发生突起或抛光划痕，能使抛光以经济的速度进行。本发明公开的用于抛光磁记录盘基体的磨料组合物，包含水、二氧化硅、防胶凝剂、硝酸铝和过氧化氢。

公开(公告)号：CN1309160A

公开(公告)日：2001-08-22

申请号：CN01104631.7

申请日：2001-01-23

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  昭和铝株式会社

Inventor： 宫田宪彦 ,  多田清志 ,  冨田贤二

IPC: C09K3/14 ,  G11B5/84

Abstract: 本发明提供一种用于抛光磁记录盘基体、使该磁记录盘表面粗糙度降低的磨料组合物。可获得高密度记录而不发生突起或抛光划痕,能使抛光以经济的速度进行。本发明公开的用于抛光磁记录盘基体的磨料组合物,包含水、二氧化硅、防胶凝剂、硝酸铝和过氧化氢。

公开(公告)号：CN1027718C

公开(公告)日：1995-02-22

申请号：CN91112795.X

申请日：1991-12-11

Applicant: 昭和铝株式会社

Inventor： 藤平忠雄 ,  坂口雅司 ,  多田清志 ,  谷尾真 ,  礒山永三

IPC: H01G9/04

Abstract: 一种用作电解电容器电极的铝箔，它包含99.9%或更多的铝。铝箔中还含有从Cu、Si、Zn、Mn、Ga、P、V、Ti、Cr、Ni、Ta、Zr、C、Be、Pb、In和稀土元素组成的元素组中选出的一种或多种辅助元素。辅助元素富集在箔体与箔体上形成的氧化层之间的界面区内，或者富集在氧化层表面部分，在界面区内或氧化层表面部分的辅助元素浓度与箔体内的辅助元素浓度间的离子浓度比为1.2∶1至30∶1。

公开(公告)号：CN1063178A

公开(公告)日：1992-07-29

申请号：CN91112795.X

申请日：1991-12-11

Applicant: 昭和铝株式会社

Inventor： 藤平忠雄 ,  坂口雅司 ,  多田清志 ,  谷尾真 ,  礒山永三

IPC: H01G9/04

Abstract: 一种用作电解电容器电极的铝箔，含99.9％或更多的铝。还含有一定量的从Cu、Si、Zn、Mn、Ca、P、V、Ti、Cr、Ni、Ta、Zr、C、Be、Pb、In和稀土元素中选出的一种或多种辅助元素。辅助元素富集在箔体与箔体上形成的氧化层之间的界面区内，或者富集在氧化层表面部分，在界面区内或氧化层表面部分的辅助元素浓度与箔体内的辅助元素浓度间的离子浓度比为1.2∶1至30∶1。此外，铝箔可以含有一定量的从Fe、Cu、Si、Zn、Mn、Ca、P、V、Ti、Cr、Ni、Ta、Zr、C、Be、B、Mg、Pb、In、Bi和稀土元素中选出的一种或多种辅助元素，它不仅富集在界面区内也同样富集在表面部分。

公开(公告)号：CN1064963A

公开(公告)日：1992-09-30

申请号：CN91101672.4

申请日：1991-03-16

Applicant: 昭和铝株式会社

Inventor： 藤平忠雄 ,  加藤丰 ,  多田清志 ,  礒山永三 ,  田村乔 ,  御所名健司

IPC: H01G9/04

CPC classification number: H01G9/0032 ,  H01G9/04

Abstract: 用作电解质电容器中电极材料的铝箔的制造方法，该方法是首先清理铝箔的表面部分，然后对铝箔进行电化学或化学腐蚀处理。随后在已经清理的铝箔表面上形成厚度为5-50的初始内氧化物涂层。然后，将铝箔进行高温热处理使氧化物涂层的总厚度不超过70。