公开(公告)号：CN108400229A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810101671.5

申请日：2018-02-01

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 外山胜美 ,  吉田泰隆 ,  村冈亮史

IPC: H01L35/18 ,  H01L35/08 ,  H01L35/34

CPC classification number: H01L35/32 ,  H01L35/02 ,  H01L35/18

Abstract: 本发明的课题是降低具有由填充方钴矿结构的合金构成的热电转换层的热电元件的接合层的厚度的不均匀。一种p型热电元件(2)，具备：热电转换层(20)，其由包含锑的填充方钴矿结构的合金构成；p侧第1导体层(21a)，其由铁箔构成，且层叠于p型热电转换层(20)上；p侧第2导体层(21b)，其由钛箔构成，且层叠于p侧第1导体层(21a)上；和p侧接合层(22)，其由铜箔构成，且层叠于p侧第2导体层(21b)上，并且被用于与安装在基板上的电极的电接合。