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公开(公告)号:CN111394589A
公开(公告)日:2020-07-10
申请号:CN202010221607.8
申请日:2017-05-29
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供精制效率高、能够抑制熔液溅起、能量成本优异、设备化的难度也不高的物质精制法以及装置等。一种物质精制方法,将冷却体2浸渍在已收纳于熔液保持容器1中的要进行精制的熔融物质6中,一边使该冷却体2旋转,一边使冷却体表面上结晶出物质的晶体,熔液保持容器1的熔液上表面处的内周面与冷却体2的外周面的水平方向的最短距离L1为150mm以上,并且,在熔液保持容器1内的存在熔融物质6的部分的整个区域中,熔液保持容器1的内周面与冷却体2的最下端的水平方向的最短距离L2为100mm以上。
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公开(公告)号:CN101103130A
公开(公告)日:2008-01-09
申请号:CN200580046933.3
申请日:2005-12-21
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 一种用作电解电容器电极的铝材料,其中在合金成分中,铝材料包括Ga:0.0005质量%或更多,并且其中从表面到5nm深度范围的表面层的Ga含量AGa(质量%)与距离表面深于5nm的铝材料内部的Ga含量BGa(质量%)的比率AGa/BGa为3或更小,并且其中在电流密度迅速增加的点处的电势E高于-770mV vs S.C.E并且低于-710mV vs S.C.E。
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公开(公告)号:CN109219669A
公开(公告)日:2019-01-15
申请号:CN201780033783.5
申请日:2017-05-29
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供精制效率高、能够抑制熔液溅起、能量成本优异、设备化的难度也不高的物质精制法以及装置等。一种物质精制方法,将冷却体2浸渍在已收纳于熔液保持容器1中的要进行精制的熔融物质6中,一边使该冷却体2旋转,一边使冷却体表面上结晶出物质的晶体,熔液保持容器1的熔液上表面处的内周面与冷却体2的外周面的水平方向的最短距离L1为150mm以上,并且,在熔液保持容器1内的存在熔融物质6的部分的整个区域中,熔液保持容器1的内周面与冷却体2的最下端的水平方向的最短距离L2为100mm以上。
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公开(公告)号:CN100582273C
公开(公告)日:2010-01-20
申请号:CN200580046933.3
申请日:2005-12-21
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 一种用作电解电容器电极的铝材料,其中在合金成分中,铝材料包括Ga:0.0005质量%或更多,并且其中从表面到5nm深度范围的表面层的Ga含量AGa(质量%)与距离表面深于5nm的铝材料内部的Ga含量BGa(质量%)的比率AGa/BGa为3或更小,并且其中在电流密度迅速增加的点处的电势E高于-770mV vs S.C.E并且低于-710mV vs S.C.E。
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公开(公告)号:CN111321303A
公开(公告)日:2020-06-23
申请号:CN202010221608.2
申请日:2017-05-29
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供精制效率高、能够抑制熔液溅起、能量成本优异、设备化的难度也不高的物质精制法以及装置等。一种物质精制方法,将冷却体2浸渍在已收纳于熔液保持容器1中的要进行精制的熔融物质6中,一边使该冷却体2旋转,一边使冷却体表面上结晶出物质的晶体,熔液保持容器1的熔液上表面处的内周面与冷却体2的外周面的水平方向的最短距离L1为150mm以上,并且,在熔液保持容器1内的存在熔融物质6的部分的整个区域中,熔液保持容器1的内周面与冷却体2的最下端的水平方向的最短距离L2为100mm以上。
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公开(公告)号:CN1761766A
公开(公告)日:2006-04-19
申请号:CN200480007069.1
申请日:2004-03-18
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C22B21/06
CPC classification number: Y02P10/234
Abstract: 作为供给精炼的原料,使用一种铝精炼用原料,其含有与铝生成包晶的包晶元素和硼而形成的,硼含量为,比合计化学当量还多5~80质量ppm,所述合计化学当量是将硼以与包晶元素形成的金属硼化物来计算的。另外,在熔化炉(1)中,使铝精炼用原料熔化为熔融液;在反应室(2A)中,使熔融液中的包晶元素与硼反应而生成金属硼化物,除去生成的金属硼化物及在上述熔化工序中生成的金属硼化物。进而,在精炼室(2B)、(2C)、(2D)、(2E)中,使通过偏析凝固使除去了包含未反应的硼的共晶元素的高纯度铝结晶出来。
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公开(公告)号:CN109219669B
公开(公告)日:2020-07-24
申请号:CN201780033783.5
申请日:2017-05-29
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供精制效率高、能够抑制熔液溅起、能量成本优异、设备化的难度也不高的物质精制法以及装置等。一种物质精制方法,将冷却体2浸渍在已收纳于熔液保持容器1中的要进行精制的熔融物质6中,一边使该冷却体2旋转,一边使冷却体表面上结晶出物质的晶体,熔液保持容器1的熔液上表面处的内周面与冷却体2的外周面的水平方向的最短距离L1为150mm以上,并且,在熔液保持容器1内的存在熔融物质6的部分的整个区域中,熔液保持容器1的内周面与冷却体2的最下端的水平方向的最短距离L2为100mm以上。
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公开(公告)号:CN1320140C
公开(公告)日:2007-06-06
申请号:CN200480007069.1
申请日:2004-03-18
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C22B21/06
CPC classification number: Y02P10/234
Abstract: 作为供给精炼的原料,使用一种铝精炼用原料,其含有与铝生成包晶的包晶元素和硼而形成的,硼含量为,比合计化学当量还多5~80质量ppm,所述合计化学当量是将硼以与包晶元素形成的金属硼化物来计算的。另外,在熔化炉(1)中,使铝精炼用原料熔化为熔融液;在反应室(2A)中,使熔融液中的包晶元素与硼反应而生成金属硼化物,除去生成的金属硼化物及在上述熔化工序中生成的金属硼化物。进而,在精炼室(2B)、(2C)、(2D)、(2E)中,使通过偏析凝固使除去了包含未反应的硼的共晶元素的高纯度铝结晶出来。
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