公开(公告)号：CN105345012B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201510675239.3

申请日：2015-10-19

Applicant: 昆明贵金属研究所

Inventor： 李俊鹏 ,  梁诗宇 ,  陈家林 ,  熊庆丰 ,  黄富春 ,  田相亮

IPC: B22F9/04 ,  H01B1/22

Abstract: 本发明公开了一种高导电性片状银粉的制备方法及应用，包括以下步骤：使用高纯度的球形或类球形银粉作为主料；添加石墨粉；添加球磨助剂；添加球磨溶剂；将上述原料调制成粉浆前驱体，进行一定时间的球磨；将产物洗涤、烘干、粉碎，得到片状银粉。制备得到D50为1.0～1.9微米，D90为1.7～4.2微米，Dmax小于等于7微米，振实密度为3.4～4.3克/毫升，比表面积为0.9～2.6平方米/克的片状银粉。该片状银粉粒径分布较窄、易于分散，用其调制的导电浆料固化后体积电阻率低、导电性能优异，附着力好。用于低温固化型导电银浆的调制，可满足触控屏、柔性线路板、射频识别、薄膜开关等领域对银粉适配需求。

公开(公告)号：CN105345012A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201510675239.3

申请日：2015-10-19

Applicant: 昆明贵金属研究所

Inventor： 李俊鹏 ,  梁诗宇 ,  陈家林 ,  熊庆丰 ,  黄富春 ,  田相亮

IPC: B22F9/04 ,  H01B1/22

CPC classification number: B22F9/04 ,  B22F1/0055 ,  B22F2009/043 ,  H01B1/22

Abstract: 本发明公开了一种高导电性片状银粉的制备方法及应用，包括以下步骤：(1)使用高纯度的球形或类球形银粉作为主料。(2)添加特定的石墨粉。(3)添加一定的球磨助剂。(4)添加一定的球磨溶剂。(5)将上述原料调制成粉浆前驱体，采用特定的球体进行一定时间的球磨。(6)将产物洗涤、烘干、粉碎，便可得到片状银粉。利用该方法成功制备出D50为1.0～1.9微米，D90为1.7～4.2微米，Dmax小于等于7微米，振实密度为3.4～4.3克/毫升，比表面积为0.9～2.6平方米/克的片状银粉。该片状银粉粒径分布较窄、易于分散，用该片状银粉调制的导电浆料固化后体积电阻率低、导电性能优异，附着力好。用于低温固化型导电银浆的调制，可满足触控屏、柔性线路板、射频识别、薄膜开关等不同银浆应用领域对银粉适配需求。