公开(公告)号：CN101628328B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200910094797.5

申请日：2009-08-05

Applicant: 昆明贵金属研究所

Inventor： 崔浩 ,  谢明 ,  杨有才 ,  孔健稳 ,  陈永泰 ,  刘满门 ,  李靖华 ,  张吉明 ,  张利斌

IPC: B22D18/00 ,  B22D17/00

Abstract: 本发明公开了一种AgMgNi合金导电环制备新方法，其工艺路线：抽高真空后熔炼纯银除气→用高纯Ar气保护下制备AgMgNi合金→重熔过程中用N2保护以防止氧化烧损→压铸成型技术制得成形坯→冷加工获得成品。本发明关键技术在于AgMgNi合金压铸成型工艺技术参数的选定及成型过程的有效控制。本发明制备方法具有无偏析、流程短、压铸成型的特点所制备的产品表面组织致密、硬度高、导电性能良好、成品率达到90％以上。

公开(公告)号：CN101628328A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200910094797.5

申请日：2009-08-05

Applicant: 昆明贵金属研究所

Inventor： 崔浩 ,  谢明 ,  杨有才 ,  孔健稳 ,  陈永泰 ,  刘满门 ,  李靖华 ,  张吉明 ,  张利斌

IPC: B22D18/00 ,  B22D17/00

Abstract: 本发明公开了一种AgMgNi合金导电环制备新方法，其工艺路线：抽高真空后熔炼纯银除气→用高纯Ar气保护下制备AgMgNi合金→重熔过程中用N 2 保护以防止氧化烧损→压铸成型技术制得成形坯→冷加工获得成品。本发明关键技术在于AgMgNi合金压铸成型工艺技术参数的选定及成型过程的有效控制。本发明制备方法具有无偏析、流程短、尽终成型的特点；所制备的产品表面组织致密、硬度高、导电性能良好、成品率达到90％以上。