公开(公告)号：CN109647232A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811462149.6

申请日：2018-12-03

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 成会玲 ,  胡德琼 ,  刘迎梅 ,  赵莉 ,  陈树梁 ,  谢嘉轩 ,  字富庭 ,  胡显智

IPC: B01D71/40 ,  B01D69/02 ,  B01D69/12 ,  B01J20/26 ,  B01J20/28 ,  B01J20/30

Abstract: 本发明涉及一种用N-甲基吡咯烷基丙烯酰胺制备钴（II）离子印迹复合膜的方法，属于膜材料制备科学技术领域。本发明所述方法以Co(II)为模板离子，N-甲基吡咯烷基丙烯酰胺为功能单体，乙二醇二甲基丙烯酸酯为交联剂，偶氮二异丁腈为引发剂，通过金属离子印迹技术和膜技术相结合，制备钴(II)离子印迹复合膜Co(II)-MICM。本发明制备得到的钴(II)离子印迹复合膜稳定性高，对钴(II)离子具有较好的特异性吸附能力和印迹效果。

公开(公告)号：CN109647232B

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN201811462149.6

申请日：2018-12-03

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 成会玲 ,  胡德琼 ,  刘迎梅 ,  赵莉 ,  陈树梁 ,  谢嘉轩 ,  字富庭 ,  胡显智

IPC: B01D71/40 ,  B01D69/02 ,  B01D69/12 ,  B01J20/26 ,  B01J20/28 ,  B01J20/30

Abstract: 本发明涉及一种用N‑甲基吡咯烷基丙烯酰胺制备钴（II）离子印迹复合膜的方法，属于膜材料制备科学技术领域。本发明所述方法以Co(II)为模板离子，N‑甲基吡咯烷基丙烯酰胺为功能单体，乙二醇二甲基丙烯酸酯为交联剂，偶氮二异丁腈为引发剂，通过金属离子印迹技术和膜技术相结合，制备钴(II)离子印迹复合膜Co(II)‑MICM。本发明制备得到的钴(II)离子印迹复合膜稳定性高，对钴(II)离子具有较好的特异性吸附能力和印迹效果。