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发明公开
一种提高导电性和沉积率的光电化学半导体元素提取方法审中-实审

公开(公告)号：CN115838934A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211497015.4

申请日：2022-11-25

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 杨佳 , 夏立新 , 潘顺伟 , 施洪勇 , 谈仁杰 , 崔兆丰 , 谈洪磊 , 邓勇

IPC: C25B1/01 , C25B1/33 , C25B1/55 , C25C1/22 , C25C1/14

Abstract: 本发明公开了一种提高导电性和沉积速率的光电化学半导体元素提取方法。在电化学提取的同时辅以光照，提高半导体元素的导电性和沉积速率，同时在电解液中加入金属颗粒或碳纤维颗粒或碳粒，增强电流强度，提高半导体的导电率，同时提高电流强度，提高半导体元素的电沉积效率。

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