公开(公告)号：CN107857272A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201710878510.2

申请日：2017-09-26

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 张桂芳 ,  杨印东 ,  史本慧 ,  施哲 ,  李想 ,  高磊 ,  严鹏 ,  褚绍阳 ,  王晓亮

IPC: C01B33/037 ,  C21C7/064

CPC classification number: C01B33/037 ,  C21C7/064

Abstract: 本发明涉及一种硅铁或者冶金硅脱磷的方法，属于精炼技术领域。在真空条件下，首先将硅铁或者冶金硅置于悬浮设备中预热到1300~2500℃形成熔滴；同时通入氢气-氩气混合气体，控制输入电流为300~400A、频率为150kHz~400kHz以及输入功率范围为3000~4500W，将熔滴悬浮5~40分钟，每次悬浮时间间隔至少5分钟，获得脱磷硅铁或者冶金硅。本方法使硅铁合金中的磷元素降低到一个更低的标准，且没有坩埚壁的二次污染，具体是在电磁场作用下使试样悬浮，同时采用氢气-氩气混合气体，从而在降低生产成本和提高效率等方面均有着重要的意义。