一种同时处理氯硅烷残液和废气的方法

    公开(公告)号:CN106276924A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201610694205.3

    申请日:2016-08-22

    Abstract: 本发明公开了一种同时处理氯硅烷残液和废气的方法,属于多晶硅生产行业产生技术领域。本发明将氯硅烷废气压入文丘里雾化器并使氯硅烷残液进入文丘里管,通过高速喉管混合雾化后一起进入吸收塔中,被吸收剂(水或盐酸)水解并吸收,实现氯硅烷废气和残液同时处理的目的,并且通过调节废气残液比实现吸收剂渣水比的调控,有效防止水解产物二氧化硅发生胶凝,保证二氧化硅的质量。本发明实现了氯硅烷残液和废气同时处理,并保证了后续产出二氧化硅的性能,且烷残液和废气处理仅需一套塔,减少了氯硅烷残液和废气分开处理装置的建设成本和运行成本。

    一种同时处理氯硅烷残液和废气的方法

    公开(公告)号:CN106276924B

    公开(公告)日:2018-08-10

    申请号:CN201610694205.3

    申请日:2016-08-22

    Abstract: 本发明公开了一种同时处理氯硅烷残液和废气的方法,属于多晶硅生产行业产生技术领域。本发明将氯硅烷废气压入文丘里雾化器并使氯硅烷残液进入文丘里管,通过高速喉管混合雾化后一起进入吸收塔中,被吸收剂(水或盐酸)水解并吸收,实现氯硅烷废气和残液同时处理的目的,并且通过调节废气残液比实现吸收剂渣水比的调控,有效防止水解产物二氧化硅发生胶凝,保证二氧化硅的质量。本发明实现了氯硅烷残液和废气同时处理,并保证了后续产出二氧化硅的性能,且烷残液和废气处理仅需一套塔,减少了氯硅烷残液和废气分开处理装置的建设成本和运行成本。

    一种水解氯硅烷残液回收Si的方法

    公开(公告)号:CN106587076B

    公开(公告)日:2018-10-02

    申请号:CN201611020964.8

    申请日:2016-11-21

    Abstract: 本发明公开一种水解氯硅烷残液回收Si的方法,属于氯硅烷残液处理并资源化利用的技术领域。本发明将氯硅烷残液通入硫酸淋洗塔,与硫酸淋洗液混合进入混合搅拌反应釜水解,水解反应生成的气相包括H2、HCl及部分水汽夹带的氯硅烷成分通过排气管返回硫酸淋洗塔,再次淋洗水解并吸收气相中水汽,生成的H2、HCl通过碱液吸收后安全排放;液相悬浮液泵入静液刮板槽,其中浮于上层的SiO2通过上部刮板机刮出SiO2浮渣,并送入洗涤、脱水、干燥系统;静液刮板槽底部含少量盐酸的硫酸清液泵入硫酸储罐,经补水后作硫酸淋洗塔淋洗液再次循环。本发明实现了氯硅烷残液的有效处理,氯硅烷残液中Si元素以SiO2的形式回收,回收率达98.6%。

    一种水解氯硅烷残液回收Si的方法

    公开(公告)号:CN106587076A

    公开(公告)日:2017-04-26

    申请号:CN201611020964.8

    申请日:2016-11-21

    CPC classification number: C01B33/12 C01P2004/61 C01P2006/80

    Abstract: 本发明公开一种水解氯硅烷残液回收Si的方法,属于氯硅烷残液处理并资源化利用的技术领域。本发明将氯硅烷残液通入硫酸淋洗塔,与硫酸淋洗液混合进入混合搅拌反应釜水解,水解反应生成的气相包括H2、HCl及部分水汽夹带的氯硅烷成分通过排气管返回硫酸淋洗塔,再次淋洗水解并吸收气相中水汽,生成的H2、HCl通过碱液吸收后安全排放;液相悬浮液泵入静液刮板槽,其中浮于上层的SiO2通过上部刮板机刮出SiO2浮渣,并送入洗涤、脱水、干燥系统;静液刮板槽底部含少量盐酸的硫酸清液泵入硫酸储罐,经补水后作硫酸淋洗塔淋洗液再次循环。本发明实现了氯硅烷残液的有效处理,氯硅烷残液中Si元素以SiO2的形式回收,回收率达98.6%。

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