公开(公告)号：CN108588674A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810415830.9

申请日：2018-05-03

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 程文涛 ,  蔡金明

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明公开了一种单层多孔二硫化钼的合成方法。在惰性气氛中，采用常见的硫粉和MoO3为原材料，利用单温区的化学气相沉积方法生长出单层多孔状MoS2，孔径为纳米级；在室温下将沉积时的温度控制为650℃，升温速率不宜过大，最佳为10℃/min，且沉积时间控制为5至15分钟，可完成单层多孔MoS2的制备；其中通过对基底的超声清洗处理、硫族单质粉末用量、生长温度和生长时间等制备参数的优化，实现对单层多孔MoS2的严格控制。

公开(公告)号：CN108677162A

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201810415266.0

申请日：2018-05-03

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 程文涛 ,  蔡金明

IPC: C23C16/30

CPC classification number: C23C16/305

Abstract: 本发明公开了一种一步制备多层二硫化钼的方法。在惰性气氛中，采用常见的硫粉单质和MoO3为原材料，利用单温区的化学气相沉积方法可控地生长出多层的MoS2，层数为3～7层；将沉积时的温度控制为650℃至750℃，并且沉积时间控制为5至30分钟，完成多层MoS2的制备；其中通过对基底的超声清洗处理、硫族单质粉末用量、生长温度和生长时间等制备参数的优化，实现对多层MoS2的严格控制。

公开(公告)号：CN207351222U

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201721082359.3

申请日：2017-08-28

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 蔡晓明 ,  程文涛 ,  蔡金明 ,  张连昌

IPC: F27D3/04 ,  F27B17/02

Abstract: 本实用新型涉及一种用于真空炉的进料装置，属于真空辅助设备技术领域。本实用新型包括反应管、坩埚、推杆密封系统，推杆密封系统包括密封圈、密封圈支架、盲板、推杆密封圈、金属压盘、螺钉、带标尺的推杆、推板、盲板穿孔和盲板密封凸台孔，推杆密封圈与盲板凸台孔相匹配；推杆与推板靠螺钉连接；金属压盘上有均匀分布的通孔；盲板密封凸台孔周围有与金属压盘上的通孔相对应的螺孔；盲板密封凸台孔不可穿透盲板；螺钉与金属压盘上的通孔和盲板上的螺孔相匹配。本实用新型优点在于结构简单，密封性优良，操作简便，克服了现有的真空炉在真空、高温时难以进料的困难。

公开(公告)号：CN208234987U

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201820603378.4

申请日：2018-04-26

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 程文涛 ,  张辉 ,  蔡金明

IPC: C23C16/44

Abstract: 本实用新型涉及一种CVD管式炉，属于真空辅助设备技术领域。本实用新型所述管式炉包括反应管、坩埚、磁铁密封系统，坩埚放置在反应管内，磁铁密封系统用于对反应管的开口进行密封；所述磁铁密封系统包括密封圈、密封圈支架、盲板、弹簧、内磁铁Ⅰ和外磁铁Ⅱ，密封圈放置在盲板上，用密封圈支架进行固定；弹簧的一端固定在盲板上，且弹簧不穿透盲板，弹簧的另一端接近内磁铁Ⅰ但不固定；内磁铁Ⅰ放置在反应管内部且置于坩埚与弹簧之间，反应管的外部设有外磁铁Ⅱ，外磁铁Ⅱ的位置与内磁铁Ⅰ对应，通过控制外磁铁Ⅱ的移动来控制内磁铁Ⅰ的移动；本实用新型优点在于结构简单，密封性优良，操作简便，克服了现有的真空炉在真空、高温时难以进料的困难。