公开(公告)号：CN101746767A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910218379.2

申请日：2009-12-17

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 马文会 ,  谢克强 ,  周阳 ,  秦博 ,  杨斌 ,  杨振伟 ,  魏奎先 ,  朱文杰 ,  伍继君 ,  刘大春 ,  刘永成 ,  周晓奎 ,  戴永年

IPC: C01B33/18 ,  B82B3/00

CPC classification number: Y02P20/124

Abstract: 本发明属于一种高纯球形纳米二氧化硅的制备方法，特别是用等离子体氢热还原法制备高纯球形纳米二氧化硅的方法，属于材料技术领域。本发明工艺步骤如下：将含SiO2原料在450～1000℃下处理，研磨成粉，酸浸除杂；等离子体反应炉内密闭进行氢热还原，生成Si气体和SiO气体；以10～1000℃/min的速度冷却，SiO歧化反应，离开等离子体区的气体生成Si和SiO2球形纳米颗粒；SiO2和Si的混合物加热到300～800℃氧化处理，最后得到高纯球形纳米SiO2。本方法获得的球形纳米SiO2纯度大于99.99％，粒度分布均匀，平均粒径为50～200纳米。工艺流程短、成本低、经济效益高、节能环保。